Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 3 » Статья стр. 327
<<<>>>
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45616.8741
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030132
РНФ , 16-12-10106
Козловский В.В. 1, Васильев А.Э. 1, Карасев П.А. 1, Лебедев А.А. 2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, electronych@mail.ru, platon.karaseov@spbstu.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
PDF версия
Путем математического моделирования каскада смещения в SiC рассмотрены особенности генерации пар Френкеля при рассеянии протонов с энергией 8 и 15 МэВ. Рассчитаны гистограммы распределения энергий, полученных не только первично выбитыми атомами, но и атомами отдачи, генерируемыми в каскадах смещений. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий преобладает процесс спонтанной рекомбинации генетически родственных пар Френкеля. Атомы отдачи второй области обладают большей энергией, позволяющей покинуть зону спонтанной рекомбинации и диссоциировать на изолированные компоненты. Проведено экспериментальное исследование процесса компенсации слабо легированных образцов n- и p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксией, при облучении протонами с энергией 8 и15 МэВ. Измерены скорости удаления носителей заряда. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных и получены оценки размеров зоны спонтанной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45616.8741
  1. A.A. Lebedev.  Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, v. 6 (2017). ISSN 2471-8890; ISBN 978-1-945291-11-1)
  2. G. Lucas, L. Pizzagalli. J. Phys.: Codens. Matter, 19, 086208 (2007)
  3. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, I.N. Goncharuk, V.V. Kozlovski, E.V. Kalinina, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, A.N. Smirnov, A.S. Usikov. Mater. Sci. Forum, 258- 263, 1143 (1997)
  4. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 27, 708 (1993)
  5. В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев. Поверхность, 3, 22 (2015)
  6. A.M. Иванов, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, A.A. Лебедев. ФТП, 45, 145 (2011)
  7. http://www.srim.org
  8. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon, N.Y., 1985)
  9. J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353- 356, 381 (2001)
  10. J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
  11. H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
  12. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. Semicond. Sci. Technol., 21, 724 (2006)
  13. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
  14. N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish. (Ser. Semiconductors and Semimetals) (Elsevier, 2015) v. 96, p. 369
  15. A. Holmes-Siedle, L. Adams. Handbook of radiation effects (Oxford, Oxford University, 1993)
  16. V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
  17. A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Engin. B, 61- 62, 441 (1999)
  18. V.A.J. Van Lint. Mechanisms of Radiation Effects in Electronic Materials (John Wiley \& Sons,1980)
  19. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  20. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
  21. В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
  22. А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34, 897 (2000)
  23. M. Rogalla, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Phys. B., 78, 516 (1999)
  24. A. Castaldini, A. Cavallini, F. Nava, P.G. Fuochi, P. Vanni. Mater. Sci. Forum., 433- 436, 439 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme