Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030181 
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: plyatsko@isp.kiev.ua, rashlv@ukr.net
Поступила в редакцию: 30 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Исследовано влияние потока быстрых нейтронов (Phi=1014-1015 см-2) на электрофизические и фотолюминесцентные свойства монокристаллов p-CdZnTe. Проведен изотермический отжиг (T=400-500 K) и определена энергия активации диссоциации радиационных дефектов, которая оказалась равной ED~0.75 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45615.8373
- R.N. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 214 (2001)
- A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhorets, A.S. Abuzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland, C.F. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 248 (2001)
- H. Miyamaru, T. Iida, A. Takahashi. J. Nucl. Sci. Technol., 36, 54 (1999)
- A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini. J. Appl. Phys., 94, 3135 (2003)
- P. Hoschl, P. Moravec, J. Franc, E. Belas, R. Grill. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 322, 371 (1992)
- T.E. Schlesinger, R.B. James. Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detector Applications [Semiconductors and Semimetals (San Diego, CA: Academic Press, 1995) v. 43]
- M. Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 322, 313 (1992)
- Z. Huang, E. Eissler, C. Wie. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 100, 507 (1995)
- С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 40 (3), 287 (2006)
- S.V. Plyatsko, T.L. Petrenko, F.F. Sizov. Infr. Phys. Technol., 52, 57 (2009)
- С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 47, 890 (2013)
- Ж. Бургуэн, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
- D.P. Halliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth, 220, 30 (2000)
- S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas, K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 974 (2000)
- D.M. Hofmann, W. Stadler, K. Oettinger, B.K. Meyer, P. Omling, M. Salk, K.W. Benz, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Mater. Sci. Eng. B, 16, 128 (1993)
- J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
