Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45615.8373

Переводная версия: 10.1134/S1063782618030181

Пляцко С.В.¹, Рашковецкий Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: plyatsko@isp.kiev.ua, rashlv@ukr.net

Поступила в редакцию: 30 августа 2017 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

PDF версия

Исследовано влияние потока быстрых нейтронов (Phi=10¹⁴-10¹⁵ см^-2) на электрофизические и фотолюминесцентные свойства монокристаллов p-CdZnTe. Проведен изотермический отжиг (T=400-500 K) и определена энергия активации диссоциации радиационных дефектов, которая оказалась равной E_D~0.75 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45615.8373

R.N. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 214 (2001)
A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhorets, A.S. Abuzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland, C.F. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 248 (2001)
H. Miyamaru, T. Iida, A. Takahashi. J. Nucl. Sci. Technol., 36, 54 (1999)
A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini. J. Appl. Phys., 94, 3135 (2003)
P. Hoschl, P. Moravec, J. Franc, E. Belas, R. Grill. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 322, 371 (1992)
T.E. Schlesinger, R.B. James. Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detector Applications [Semiconductors and Semimetals (San Diego, CA: Academic Press, 1995) v. 43]
M. Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 322, 313 (1992)
Z. Huang, E. Eissler, C. Wie. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 100, 507 (1995)
С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 40 (3), 287 (2006)
S.V. Plyatsko, T.L. Petrenko, F.F. Sizov. Infr. Phys. Technol., 52, 57 (2009)
С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 47, 890 (2013)
Ж. Бургуэн, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
D.P. Halliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth, 220, 30 (2000)
S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas, K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 974 (2000)
D.M. Hofmann, W. Stadler, K. Oettinger, B.K. Meyer, P. Omling, M. Salk, K.W. Benz, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Mater. Sci. Eng. B, 16, 128 (1993)
J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель