"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании n-ZrNiSn акцепторной примесью Ga
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030193
Ромака В.А.1,2, Rogl P.-F.3, Frushart D.4, Kaczorowski D.5
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
5Институт низких температур и структурных исследований им. В. Тжибятовского ПАН, Вроцлав, Польша
Email: vromaka@polynet.lviv.ua
Поступила в редакцию: 31 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Установлена природа механизма одновременного генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn акцепторной примесью Ga. Найдено такое пространственное расположение атомов в кристаллической решетке ZrNiSn1-xGax, когда скорость движения уровня Ферми varepsilonF, полученная из расчетов распределения плотности электронных состояний, совпадает с экспериментально установленной из зависимостей lnrho(1/T). Показано, что при занятии примесным атомом Ga (4s24p1) позиции 4b атомов Sn (5s25p2) одновременно генерируются как структурные дефекты акцепторной природы, так и донорной в виде вакансий в позиции 4b. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45614.8573
  1. В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  2. M. Gurth, G. Rogl, V.V. Romaka, E. Bauer, P. Rogl. Acta Materialia, 104, 210 (2016)
  3. M. Schwall, B. Balke. Phys. Chem. Chem. Phys., 15 (6), 1868 (2013)
  4. D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
  5. В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, D. Fruchart, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (6), 676 (2006)
  6. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, А.М. Горынь, Ю.К. Гореленко, Т.И. Доминюк. ФТП, 43 (3), 297 (2009)
  7. В.А. Ромака, E.K. Hlil, Я.В. Сколоздра, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, А.М. Горынь. ФТП, 43 (9), 1157 (2009)
  8. V.A. Romaka, P.-F. Rogl, L.P. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovsky, D. Kaczorowski, A.M. Horyn. J. Thermoelectricity, N 3, 24 (2016)
  9. Н. Мотт, Т. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61 (2), 816 (1971)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62 (3), 1156 (1972)
  13. T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378-381, 118 (2001)
  14. M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
  15. V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N. Y., Pergamon Press, 1978)
  16. В.В. Ромака, Л.П. Ромака, В.Я. Крайовский, Ю.В. Стаднык. Станиды редкоземельных и переходных металлов (Львов, Львовская политехника, 2015)
  17. V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.