Вышедшие номера
Оптические переходы в кристаллах ZnSe и CdTe с участием d-зон катионов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030211
Соболев В.В.1, Перевощиков Д.А.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Email: sobolev@uni.udm.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Спектры диэлектрических проницаемостей varepsilon_1(E) и varepsilon_2(E) кристаллов ZnSe и CdTe рассчитаны в области 10-25 эВ, используя их экспериментальные спектры отражения и интегральные соотношения Крамерса-Кронига. Они разложены на тринадцать и двенадцать отдельных полос переходов для ZnSe и CdTe соответственно, применяя усовершенствованный беспараметрический метод объединенных диаграмм Арганда. При этом определены их основные параметры: энергии максимумов и полуширин, силы осцилляторов. Значения сил осцилляторов находятся в интервалах 0.1-1.4 (ZnSe) и 0.2-0.7 (CdTe). Полученные полосы varepsilon_2(E) обусловлены межзонными и экситонными переходами с участием остовных d-зон катионов обоих кристаллов. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45613.8629