Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC

Мынбаева М.Г.¹, Ситникова А.А.¹, Мынбаев К.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 марта 2011 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

PDF версия

Исследована природа фотопроводимости, возникающей в пористых структурах, сформированных анодизацией гетероструктур GaN/SiC. На основании сопоставления фотоэлектрических, оптических, электрических и структурных свойств исходных и анодированных гетероструктур показано, что данный эффект обусловлен наличием зарядовых состояний на границе раздела между GaN и SiC, специфичных для примененных условий анодизации.

В.И. Пунегов, А.А. Ломов. Письма ЖТФ, 36 (3), 60 (2010)
B. Unal, S.C. Bayliss, D.T. Clarke. J. Appl. Phys., 87, 3547 (2000)
Л.П. Казакова, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев. ФТП, 38, 118 (2004)
X.Y. Guo, T.L. Williamson, P.W. Bohn. Solid State Commun, 140, 159 (2006)
M. Mynbaeva, N. Bazhenov, K. Mynbaev, V. Evstropov, S.E. Saddow, Y. Koshka, Y. Melnik. Phys. Status Solidi (B), 228, 589 (2001)
A.E. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Yu. Melnik, V. Dmitriev. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W6 (2000)
M.G. Mynbaeva, K.D. Mynbaev, D.V. Tsvetkov. In: Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Application, ed. by R.M. Feenstra and C.E.C. Wood (Chichester, John Wiley and Sons, 2008). p. 171
S. Ghosh. Phase Transit., 77, 791 (2004)
P.A. Ivanov, M.G. Mynbaeva, S.E. Saddow. Semicond. Sci. Technol., 19, 319 (2004)
D.C. Look, Z-Q. Fang, S. Soloviev, T.S. Sudarshan, J.J. Boeckl. Phys. Rev. B, 69, 195 205 (2004)
L. Liu, J.H. Edgar. Mat. Sci. Eng. R, 37, 61 (2002)
П.Г. Черемской, В.В. Слезов, В.И. Бетехтин. Поры в твердом теле (М., Энергоатомиздат, 1990) с. 274
M.G. Mynbaeva, K.D. Mynbaev, A. Sarua, M. Kuball. Semicond. Sci. Technol., 20, 50 (2005)
Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 159 (1997)
Д.Г. Яркин. ФТП, 33, 211 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель