"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO2 при облучении тяжелыми ионами высоких энергий
Качурин Г.А.1, Черкова С.Г.1, Скуратов В.А.2, Марин Д.В.3,1, Кеслер В.Г.1, Володин В.А.3,1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Термически выращенные слои SiO2 облучали ионами Bi с энергией 700 МэВ дозами (3-10)·1012 см-2. Обнаружено, что уже после дозы 3·1012 см-2 появляется полоса фотолюминесценции вблизи 600 нм. Ее интенсивность насыщается к дозе ~5·1012 см-2. Природа центров излучения исследована методами инфракрасного пропускания, рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, эллипсометрии и по реакции на пассивирующие низкотемпературные отжиги. Установлено, что облучение приводит к уменьшению числа связей Si-O в пользу связей Si-Si. Считается, что фотолюминесценция обусловлена наноструктурами, содержащими избыточный Si и(или) имеющими дефицит O. Реакция восстановления SiO2 происходит в ионных треках благодаря высоким уровням ионизации и нагрева внутри них. По дозовой зависимости диаметр треков оценен как равный 8-9 нм.
  1. S.T.H. Silalahi, Q.V. Vu, H.Y. Yang, K. Pita, Y. Mingbin. Appl. Phys. A, 98, 867 (2010)
  2. O.M. Feroughi, C. Sternemann, Ch.J. Sahle, M.A. Schroer, H. Sternemann, H. Conrad, A. Hohl, G.T. Seidler, J. Bradley, T.T. Fister, M. Balasubramanian, A. Sakko, K. Pirkkalainen, K. Hamalainen, M. Tolan. Appl. Phys. Lett., 96, 081 912 (2010)
  3. M. Ray, T.S. Basu, A. Jana, N.R. Bandyopadhyay, S.M. Hossian, A.K. Pramanick, R.F. Klie. J. Appl. Phys., 107, 064 311 (2010)
  4. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov, M. Deutschmann. Nanotechnology, 19, 355 305 (2008)
  5. D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instr. Meth. B, 107, 259 (1996)
  6. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
  7. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instr. Meth. B, 239, 185 (2005)
  8. W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
  9. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44, 544 (2010)
  10. K. Awazu, S. Ishii, K. Shima, S. Roorda, J.L. Brebner. Phys. Rev. B, 62 (6), 3689 (2000)
  11. D.K. Avasthi, Y.K. Mishra, F. Singh, J.P. Stoquert. Nucl. Instr. Meth. B, 268, 3027 (2010)
  12. S.M.M. Ramos, C. Clerc, B. Canut, J. Chaumont, M. Toulemonde, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 166--167, 31 (2000)
  13. M. Toulemonde, S.M.M. Ramos, H. Bernas, C. Clerc, B. Canut, J. Chaumont, C. Trautmann. Nucl. Instr. Meth. B, 178, 331 (2001)
  14. M. Ma, X. Chen, K. Yang, X. Yang, Y. Sun, Y. Jin, Zh. Zhu. Nucl. Instr. Meth. B, 268, 67 (2010)
  15. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  16. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
  17. S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  18. Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instr. Meth. B, 266, 3107 (2008)
  19. R. Salh, H.-J. Fitting. Phys. Status Solidi C, 4 (3), 901 (2007)
  20. А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. ФТП, 42, 747 (2008)
  21. С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.И. Аксенова, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, И.В. Антонова, Т.Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. ФТП. 44, 550 (2010)
  22. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, D.O. Mazunov, S. Kaschieva, J. Koprinarova, S.N. Dmitriev. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (1), 325 (2005)
  23. X.D. Pi, O.H.Y. Zalloum, T. Roschuk, J. Wojcik, A.P. Knights, P. Mascher, P.J. Simpson. Appl. Phys. Lett., 88, 103 111 (2006)
  24. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. A, 98, 873 (2010)
  25. R.A Devine. Nucl. Instr. Meth. B, 91, 378 (1994)
  26. M.C. Busch, A. Slaoui, P. Siffert, E. Dootyhee, M. Toulemonde. J. Appl. Phys., 71 (6), 2596 (1992)
  27. P. Kluth, C.S. Schnohr, O.H. Pakarinen, F. Djurabekova, D.J. Sprouster, R. Giulian, M.C. Ridgway, A.P. Byrne, C. Trautmann, D.J. Cookson, K. Nordlund, M. Toulemonde. Phys. Rev. Lett., 101, 175 503 (2008)
  28. G.S. Chen, C.B. Boothroyd, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1949 (1993)
  29. M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshihara. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7140 (1999)
  30. M. Takeguchi, M. Tanaka, K. Furuya. Appl. Surf. Sci., 146, 257 (1999)
  31. M. Toulemonde, E. Balanzat, S. Bouffard, J.J. Grob, M. Hage-Ali, J.P. Stoquert. Nucl. Instr. Meth. B, 46, 64 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.