Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1 2 3
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии

Иванов П.А.¹, Потапов А.С.¹, Самсонова Т.П.¹, Korol'kov O.², Sleptsuk N.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Tallinn University of Technology (Department of Electronics), Tallinn, Estonia

Поступила в редакцию: 23 марта 2011 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) исследованы p-n-переходы, изготовленные имплантацией бора в эпитаксиальные пленки 4H-SiC n-типа проводимости с концентрацией доноров (8-9)· 10¹⁴ см^-3. Обнаружен "аномальный" по знаку сигнал DLTS, который связывается с перезарядкой глубоких компенсирующих "борных" центров в n-области вблизи металлургической границы p-n-перехода.

И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42 (7), 878 (2008)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43 (4), 527 (2009)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков. ФТП, 43 (9), 1249 (2009)
Е.Н. Агафонов, У.А. Аминов, А.Н. Георгобиани, Л.С. Лепнев. ФТП, 35 (1), 48 (2001)
М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 32 (5), 523 (1998)
M. Gong, C.V. Reddy, C.D. Beling, S. Fung, G. Brauer, H. Wirth, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 72 (21), 2739 (1998)
S.W. Johnston, J.A.M. AbuShama, R. Noufi. 2005 MRS Spring Meeting Proc. (2005) v. 862-- 884, F5.35
I. Thurzo, F. Dubecky. Phys. Status Solidi A, 89 (2), 693 (1985)
Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 19 (8), 1382 (1985)
M.K. Linnarsson, M.S. Janson, A. Schoner, B.G. Svensson. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2003) v. 742, K 6.1.1
M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Hallen, B.G. Svensson, H. Bleichner. Appl. Phys. Lett., 76 (11), 1434 (2000)
S.W. Huh, J.J. Sumakeris, A.Y. Polyakov, M. Skowronski, P.B. Klein, B.V. Shanabrook, M.J. O'Loughlin. Mater. Sci. Forum, 527-- 529, 493 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель