Вышедшие номера
Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Korol'kov O.2, Sleptsuk N.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Tallinn University of Technology (Department of Electronics), Tallinn, Estonia
Поступила в редакцию: 23 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) исследованы p-n-переходы, изготовленные имплантацией бора в эпитаксиальные пленки 4H-SiC n-типа проводимости с концентрацией доноров (8-9)· 1014 см-3. Обнаружен "аномальный" по знаку сигнал DLTS, который связывается с перезарядкой глубоких компенсирующих "борных" центров в n-области вблизи металлургической границы p-n-перехода.