"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
Хабибуллин Р.А.1, Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.2, Климов Е.А.2, Пономарев Д.С.1, Лунин Р.А.3, Кульбачинский В.А.3
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов ns в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и delta-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним delta-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, ns=1.37·1013 см-2, получено наибольшее значение электронной подвижности muH=1520 см2/(В·с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами.
  1. G.M. Dunn, A. Phillips, P.J. Topham. Semicond. Sci. Technol., 16, 562 (2001)
  2. А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, Е.В. Никитина, Д.В. Денисов, Н.К. Поляков, Е.В. Пирогов, А.А. Горбацевич. ФТП, 44 (7), 950 (2010)
  3. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
  4. Y. Gui, S. Guo, G. Zheng, J. Chu, X. Fang, K. Qiu, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 76 (10), 1309 (2000)
  5. H.M. Shieh, W.C. Hsu, C.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 63 (4), 509 (1993)
  6. S.R. Bahl, J.A. del Alamo. IEEE Trans. Electron. Dev., 41 (12), 2268 (1994)
  7. S.D. Cho, H.T. Kim, D.M. Kim. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (4), 1148 (2003)
  8. Y.-W. Chen, W.-C. Hsu, H.-M. Sheih , Y.-J. Chem, J.-S. Lin, Y.-J. Li, T.-B. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (2), 221 (2002)
  9. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  10. W. Marsetz, A. Huelsmann, T. Kleindienst, S. Fischer, M. Demmler, W. Bronner, T. Fink, K. Koehler, M. Schlechtweg. Proc. 27th Eur. Microwave Conf., (1997) c. 1030
  11. S.-S. Lu, C.-C. Meng, Y.-S. Lin, H. Lan. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (1), 48 (1999)
  12. N.I. Cameron, S. Murad, H. McLelland, A. Asenov, M.R.S. Taylor, M.C. Holland, S.P. Beaumont. Electron. Lett., 32 (8), 770 (1996)
  13. S.R. Bahl, J.A. del Alamo. IEEE Electron. Dev., 13, 195 (1992)
  14. W.-S. Lour, C.-Y. Lia. Semicond. Sci. Technol., 13, 796 (1998)
  15. S.S. Lu, C.L. Huang, T.P. Sun. Sol. St. Electron., 38 (5), 25 (1995)
  16. W.-C. Liu, K.-H. Yu, K.-W. Lin, J.-H. Tsai, C.-Z. Wu, K.-P, Lin, C.-H. Yen. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (8), 1522 (2001)
  17. T. Baksht, S. Solodky, M. Leibovitch, G. Bunin, Y. Shapira. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (2), 479 (2003)
  18. S.R. Bahl, J.A. del Alamo. Proc. 2nd Int. Conf. on InP and Related Materials (1990) c. 100
  19. К.С. Журавлев, А.И. Торопов, Т.С. Шамирзаев, А.К. Бакаров, Ю.Н. Раков, Ю.Б. Мякишев. Письма ЖТФ, 25 (15), 8 (1999)
  20. A. Leuther, A. Forster, H. Luth, H. Holzbercher, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (1996)
  21. W.-C. Liu, K.-Y. Yu, R.-C. Liu, K.-W. Lin, K.-P. Lin, C.-H. Yen, C.-C. Cheng, K.-B. Thei. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (12), 2677 (2001)
  22. Y.-J. Chan, M.-T. Kang, C. Li. IEEE Electron. Dev. Lett., 16 (1), 33 (1995)
  23. D.R. Greenberg, J.A. del Alamo, J.P. Harbison, L.T. Florez. IEEE Electron. Dev. Lett., 12 (8), 436 (1991)
  24. Y.-C. Lin, E.Y. Chang, H. Yamaguchi, W.-C. Wu, C.-Y. Chang. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (7), 1617 (2007)
  25. M. Kondo, C. Akayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T. Tanahashi. J. Appl. Phys., 76, 914 (1994)
  26. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1996)
  27. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  28. M. Nawaz, J.M. Miranda, P. Sakalas, S.M. Wang, Q.X. Zhao, M. Willander, H. Zirath. Semicond. Sci. Technol., 15, 728 (2000)
  29. J.M. Fernandez, M.E. Lazzouni, L.J. Sham, H.H. Wieder. J. Appl. Phys., 74 (2), 1161 (1993)
  30. E.F. Schuber, J.M. Kuo, R.F. Kopf, A.S. Jordan, H.S. Luftman, L.C. Hopkins. Phys. Rev. B, 42, 1364 (1990)
  31. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, В.Г. Мокеров, Ф.П. Сенечкин, Ф.С. Бугаев, А.Л. Карузский, А.В. Пересторонин, R.T.F. van Schaijk, A. de Visser. ФТП, 33 (7), 839 (1999)
  32. E.D. Sigga, P.C. Kwok. Phys. Rev. B, 2 (4), 1024 (1970)
  33. В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, З.З. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.