Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и исследовании in situ с использованием дифракции отраженных быстрых электронов и ex situ методами растровой и просвечивающей микроскопии (ПЭМ и РЭМ) слоев AlInSb, выращенных на сильно рассогласованных подложках GaAs (100). Обнаружено, что особенностью гетеросистемы AlInSb/GaAs является высокая вероятность образования дефектов двойникования, и предложены способы снижения их концентрации. Для инициализации роста AlInSb на подложках GaAs в условиях гигантского рассогласования периодов решеток (~14.5%) и быстрого перехода к двумерному росту использовалась поверхность слоя GaAs, предварительно выдержанная под потоком сурьмы, и переходный буферный слой AlSb. Оптимизация начальных стадий МПЭ роста Sb-содержащих слоев на поверхности GaAs позволила более чем на 2 порядка понизить плотность дефектов в GaAs/AlInSb-структурах, в том числе радикально уменьшить концентрацию дефектов двойникования. Определены оптимальные условия МПЭ роста слоев AlxIn1-xSb в широком диапазоне составов (0<x<0.3). Проведенные исследования методами ПЭМ и РЭМ подтвердили высокое структурное качество выращенных GaAs/AlInSb-гетероструктур. Измерения эффекта Холла выявили зависимость подвижности и концентрации носителей заряда от содержания алюминия в слоях AlInSb и позволили сделать предварительный вывод о механизмах рассеяния.
- Naohiro Kuze, Ichiro Shibasaki. III --- Vs Review, 10, 28 (1997)
- P.J. Treado, I.W. Levin, E.N. Lewis. Appl. Spectr., 48, 607 (1994)
- П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов. ФТП, 38, 498 (2004)
- J.R. Soderstrom, J.Y. Yao, T.G. Andersson. Appl. Phys. Lett., 58, 708 (1991)
- T. Ashley, L. Buckle, S. Dutta. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
- K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liul, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth, 201/202, 753 (1999)
- S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, S.S. Ruvimov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 156, 191 (1995)
- П.В. Неклюдов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1042 (1997)
- H.T. Pham, S.F. Yoon, D. Boning, S. Wicaksono. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 11 (2007)
- L.J. Whitman, B.R. Bennett, E.M. Kneedler, B.T. Jonker, B.V. Shanabrook. Surf. Sci., 436, L707 (1999)
- M.W. Wang, D.A. Collins, T.C. McGill, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 1418 (1993); T. Brown, A. Brown, G. May. J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1771 (2002)
- V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, B.Ya. Meltser, A.N. Semenov, D.D. Solnyshkov, A.A. Toropov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 86, 011109-11 (2005)
- N.D. Mishima, J.C. Keay, N. Goel, M.A. Ball, S.J. Ching, M.B. Johnson, M.B. Santos. J. Cryst. Growth, 251, 551 (2003)
- M.A. Ball, J.C. Keay, S.J. Chung, M.B. Santos, M.B. Johnson. Appl. Phys. Lett., 80, 2138 (2002)
- J. Boucart, C. Starck, A. Plais, E. Derouin, C. Fortin, F. Gaborit, A. Pinquier, L. Goldstein, D. Carpentier, J. Jacquet. Lett., 34, 2133 (1998)
- C.L. Andre, J.A. Carlin, J.J. Boeckl, D.M. Wilt, M.A. Smith, A.J. Pitera, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, S.A. Ringel. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 1055 (2005)
- D.C. Dumka, W.E. Hoke, P.J. Lemonias, G. Gueva, I. Adesida. Electron. Lett., 35, 1854 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
