"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
Семенов А.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Соловьев В.А.1, Комиссарова Т.А.1, Ситникова А.А.1, Кириленко Д.А.1, Надточий А.М.1, Попова Т.В.1, Копьев П.С.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и исследовании in situ с использованием дифракции отраженных быстрых электронов и ex situ методами растровой и просвечивающей микроскопии (ПЭМ и РЭМ) слоев AlInSb, выращенных на сильно рассогласованных подложках GaAs (100). Обнаружено, что особенностью гетеросистемы AlInSb/GaAs является высокая вероятность образования дефектов двойникования, и предложены способы снижения их концентрации. Для инициализации роста AlInSb на подложках GaAs в условиях гигантского рассогласования периодов решеток (~14.5%) и быстрого перехода к двумерному росту использовалась поверхность слоя GaAs, предварительно выдержанная под потоком сурьмы, и переходный буферный слой AlSb. Оптимизация начальных стадий МПЭ роста Sb-содержащих слоев на поверхности GaAs позволила более чем на 2 порядка понизить плотность дефектов в GaAs/AlInSb-структурах, в том числе радикально уменьшить концентрацию дефектов двойникования. Определены оптимальные условия МПЭ роста слоев AlxIn1-xSb в широком диапазоне составов (0<x<0.3). Проведенные исследования методами ПЭМ и РЭМ подтвердили высокое структурное качество выращенных GaAs/AlInSb-гетероструктур. Измерения эффекта Холла выявили зависимость подвижности и концентрации носителей заряда от содержания алюминия в слоях AlInSb и позволили сделать предварительный вывод о механизмах рассеяния.
  1. Naohiro Kuze, Ichiro Shibasaki. III --- Vs Review, 10, 28 (1997)
  2. P.J. Treado, I.W. Levin, E.N. Lewis. Appl. Spectr., 48, 607 (1994)
  3. П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов. ФТП, 38, 498 (2004)
  4. J.R. Soderstrom, J.Y. Yao, T.G. Andersson. Appl. Phys. Lett., 58, 708 (1991)
  5. T. Ashley, L. Buckle, S. Dutta. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
  6. K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liul, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth, 201/202, 753 (1999)
  7. S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, S.S. Ruvimov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 156, 191 (1995)
  8. П.В. Неклюдов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1042 (1997)
  9. H.T. Pham, S.F. Yoon, D. Boning, S. Wicaksono. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 11 (2007)
  10. L.J. Whitman, B.R. Bennett, E.M. Kneedler, B.T. Jonker, B.V. Shanabrook. Surf. Sci., 436, L707 (1999)
  11. M.W. Wang, D.A. Collins, T.C. McGill, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 1418 (1993); T. Brown, A. Brown, G. May. J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1771 (2002)
  12. V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, B.Ya. Meltser, A.N. Semenov, D.D. Solnyshkov, A.A. Toropov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 86, 011109-11 (2005)
  13. N.D. Mishima, J.C. Keay, N. Goel, M.A. Ball, S.J. Ching, M.B. Johnson, M.B. Santos. J. Cryst. Growth, 251, 551 (2003)
  14. M.A. Ball, J.C. Keay, S.J. Chung, M.B. Santos, M.B. Johnson. Appl. Phys. Lett., 80, 2138 (2002)
  15. J. Boucart, C. Starck, A. Plais, E. Derouin, C. Fortin, F. Gaborit, A. Pinquier, L. Goldstein, D. Carpentier, J. Jacquet. Lett., 34, 2133 (1998)
  16. C.L. Andre, J.A. Carlin, J.J. Boeckl, D.M. Wilt, M.A. Smith, A.J. Pitera, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, S.A. Ringel. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 1055 (2005)
  17. D.C. Dumka, W.E. Hoke, P.J. Lemonias, G. Gueva, I. Adesida. Electron. Lett., 35, 1854 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.