Вышедшие номера
Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
Григорьев М.М.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм.