"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
Григорьев М.М.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм.
  1. Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 20, 20 (1994)
  2. А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
  3. В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев, Письма ЖТФ, 27, 80 (2001)
  4. А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 4, 278 (2010)
  5. М.П. Михайлова, А.А. Рогачев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 10, 8 (1976)
  6. H. Kroemer, G. Griffiths. IEEE Electr. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
  7. B. Wilson. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1763 (1988)
  8. Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова. Т.И. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 351 (1999)
  9. L. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  10. К.Д. Моисеев. Автореферат диссертации к.ф.-м.н., ФТИ им. А.Ф. Иоффе (СПб., 1994)
  11. Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data, Ser. III, Springer, Berlin, Heidelberg, 1982, v. 17a. (O. Madelung, ed.) p. 264; 1987, v. 22a (K.-H. Hellwege, ed.) p. 305
  12. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol, 9, 1279 (1994)
  13. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  14. А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 67, 1957 (1994)
  15. E.R. Gertner, D.T. Cheung, A.M. Andrews, J.T. Longo. J. Electron. Mat., 6, 163 (1977)
  16. K.D. Moiseev, E. Ivanov, V. Romanov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. v Simev cek. Physics Procedia, 3, 1189 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.