"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проводимость кристаллов Hg3In2Te6 в сильных электрических полях
Грушка О.Г.1, Чупыра С.М.1, Мыслюк О.М.1, Биличук С.В.1, Заболоцкий И.И.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Изучено влияние электрического поля и температуры на проводимость объемных кристаллов Hg3In2Te6. Показано, что вольт-амперные характеристики в сильных электрических полях являются характеристиками S-типа с эффектом переключения в низкоомное состояние. Критическое напряжение перехода от закона Ома к экспоненциальной зависимости тока (I) от напряжения (U) и пороговое напряжение перехода в область отрицательного дифференциального сопротивления dU/dI<0 линейно зависят от толщины образца. Определены энергии активации проводимости в слабом и сильном электрических полях. Установлено, что сверхлинейный участок вольт-амперной характеристики с dU/dI>0 описывается зависимостью вида I=I0exp(U/U0) и обусловлен электронными переходами с локальных центров с энергетическим уровнем Et=0.19 эВ.
  • P. Gorley, Z. Grushka, Ya. Radevych, O. Grushka, I. Zabolotsky. Proc. SPIE, 6796, 67961W (2007)
  • P.N. Gorley, O.G. Grushka, Z.M. Grushka, A.I. Malik. 8th Conf. Electronic Materials, IUMRS-ICEM (Xi'an, China, 2002) p. 27
  • О.Г. Грушка, П.Н. Горлей. Перспективные материалы, N 6, 33 (2003)
  • К.Д. Цэндин, Э.А. Лебедев, А.Б. Шмелькин. ФТТ, 47 (3), 427 (2005)
  • В.Б. Сандомирский, А.А. Суханов, А.Г. Ждан. ЖЭТФ, 58 (5), 1683 (1970)
  • Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43 (10), 1383 (2009)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.