"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями
Гаджиалиев М.М.1, Камилов И.К.1, Пирмагомедов З.Ш.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Показано, что вдоль длины образца дырочного германия за счет большего градиента температуры можно реализовать стационарное во времени "соседство" областей примесной (дырочной) и собственной (электронной) проводимости, так называемый термостимулированный переход, способный выпрямлять переменный ток. Рассчитан "контактный" потенциал такого перехода.
  • И.К. Камилов, М.М. Гаджиалиев. Письма ЖЭТФ, 52, 1259 (1990)
  • Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
  • М.М. Гаджиалиев. В кн.: Явление Бенедикса в электронно-дырочной плазме германия. Сб. тр. ИФ ДагФАН СССР. Плазма в полупровдниках (Махачкала, 1984) с. 21
  • В.Ш. Ступельман, Г.А. Филаретов. Полупровдниковые приборы (М., Сов. радио, 1973) с. 247
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.