Вышедшие номера
О резонансном донорном уровне в n-CdTe по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении
Даунов М.И.1, Ковалев А.С.1, Моллаев А.Ю.1, Магомедов А.Б.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Представлены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических (при гидростатическом давлении до P=2.5 ГПа и T=300 K) и температурных (в температурном интервале 15-300 K при атмосферном давлении) зависимостей коэффициента Холла и электропроводности объемных кристаллов n-CdTe с концентрацией электронов 1015-1017 см-3 при T=300 K. Использована четырехуровневая модель: глубокие донорные уровни, расположенные в запрещенной зоне и сплошном спектре зоны проводимости, и мелкие донорный и акцепторный уровни. Определено положение донорных уровней и коэффициенты давления энергетических промежутков между ними и краем зоны проводимости.