"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi2Te3, легированных хлором и тербием
Абдуллаев Н.А.1, Абдуллаев Н.М.1, Алигулиева Х.В.1, Керимова Т.Г.1, Мехдиев Г.С.1, Немов С.А.2
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления (T=5-300 K) в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффект Холла и магнитосопротивление (H<80 кЭ, T=0.5-4.2 K) в монокристаллах Bi2Te3, легированных хлором и тербием. Показано, что легирование Bi2Te3 атомами тербия оказывает акцепторное действие и приводит к увеличению концентрации дырок. Легирование атомами хлора меняет не только тип проводимости Bi2Te3 на n-тип, но и характер проводимости. В температурной зависимости удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям, возникает участок с активационной проводимостью, обусловленной прыжковой проводимостью по локализованным состояниям. Предложен механизм переноса заряда в монокристаллах Bi2Te3, легированных хлором.
  1. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова, Л.Н. Лукьянова, П.П. Константинов, В.А. Кутасов. ФТТ, 45 1193 (2003)
  2. П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, М.И. Фёдоров, Ю.И. Равич, Д.А. Пшенай-Северин, В.В. Компаниец, В.А. Чистяков. ФТП, 39, 1059 (2005)
  3. Р. Лайхо, С.А. Немов, А.В. Лашкул, Э. Лахдеранта, Т.Е. Свечникова, Д.С. Дворник. ФТП, 41, 565 (2007)
  4. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, П.П. Константинов. ФТП, 34, 389 (2000)
  5. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТП, 41, 1158 (2007)
  6. Н.А. Абдуллаев, С.Ш. Кахраманов, Т.Г. Керимова, К.М. Мустафаева, С.А. Немов. ФТП, 43, 156 (2009)
  7. П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич, М.И. Фёдоров, В.В. Компаниец. ФТП, 38, 811 (2004)
  8. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972)
  9. P. Schnabel. Zeits Angew. Phys., 22, 136 (1967)
  10. N.A. Abdullayev, T.G. Kerimova. Phys. B: Condens. Matter, 404, 5215 (2009)
  11. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47, 498 (1988)
  12. Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  13. Y. Ootuka, A. Kawabata. Progr. Theor. Phys., 84, 249 (1985)
  14. V.K.S. Shante, C.M. Varma, A.N. Bloch. Phys. Rev. B, 8, 4885 (1973)
  15. A. Khater, M. Balkanski, C. Julien, M. Weber. Phys. Rev. B, 37, 8278 (1988)
  16. Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1970)
  17. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc., 69, 1101 (1956)
  18. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Данилов, В.Л. Арбузов, В.А. Кульбачинский. ФТТ, 45, 2147 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.