"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Тагиев О.В.1,2, Асадуллаева С.Г.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Вольт-амперные характеристики структуры In-ZnGa2Se4-In исследовались в интервале температур 90-335 K. На основании расчетных данных для концентрации трех типов ловушек носителей заряда в ZnGa2Se4 получены величины Nt=1.4· 1013, 8.2· 1012, 2.6· 1012 см-3, определены прозрачность контактной области D*k=10-5, скорость поверхностной рекомбинации Sk=0.65 м/с, время жизни носителей заряда tau=1.5· 10-4 с. Установлено, что в электрических полях меньше 103 В/см механизм токопрохождения обусловлен монополярной инжекцией носителей заряда.
  • J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 27, 448 (1961)
  • N.A. Goryunova. The Chemistry of Diamond-Like Semiconductors (Chapman and Hall, London, 1965)
  • L.I. Berger, V.D. Prochukhan. Ternary Diamond-Like Semiconductors (Consultants Bureau, N.Y., 1969)
  • W. Ludwig, G. Voigt. Phys. Status Solidi, 24, K 161 (1967)
  • J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 26, 647 (1960)
  • R. Nitsche, W.J. Merz. Helv. Phys. Acta, 35, 275 (1962)
  • S. Shionoya, Y. Tamoto. J. Phys. Soc. Jpn., 19, 1142 (1962)
  • L. Krausbauer, R. Nitsche, P. Wild. Proc. Intern. Conf. on Luminescence (Budapest, 1966) p. 1107
  • G.B. Abdullaev, V.B. Antonov, D.T. Guseinov, R.Kh. Nanu, E.Yu. Salaev. Sov. Phys. Semicond., 2, 878 (1969)
  • W. Kim, M. Jin, S. Hyeon, Y. Kim, B. Park. Sol. St. Commun., 74 (2), 123 (1990)
  • Y.-G. Kim, L. Chomsik. J. Appl. Phys., 83 (12), 8068 (1998)
  • J.W. Kim, Y.J. Kim. J. Eur. Ceramic Soc., 27 (13--15), 3667 (2007)
  • S.I. Radautsan, I.M. Tiginyanu, V.N. Fulga, Yu.O. Derid. Phys. Status Solidi A, 114 (1), 259 (1989)
  • X.-S. Jiang, S. Mi, P.-J. Sun, Y. Lu, J.-Q. Liang. Chinese Phys. Lett., 26, 077 102 (2009)
  • G. Antonioli, P.P. Lottici, C. Razzetti. Phys. Status Solidi B, 152 (1), 39 (2006)
  • A. Eifler, G. Krauss, V. Riede, V. Kramer, W. Grill. J. Phys. Chem. Sol., 66 (11), 2052 (2005)
  • D. Errandonea, R.S. Kumar, F.J. Manjon, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu. J. Appl. Phys., 104 (6), 063 524 (2008)
  • H. Hahn, G. Frank, W. Klinger, A.D. Storger, G. Storger, Z. Anorg. Allg. Chem., 279, 241 (1955)
  • P. Manca, C. Muntoni, F. Raga, A. Spiga. Phys. Status Solidi B, 44, 51 (1971)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) ч. 1, гл. 5, с. 103
  • C. Manfredotti, C.De Blasi, S. Galassini, G. Micocci, L. Ruggiero, A. Tepore. Phys. Status Solidi A, 36, 569 (1976)
  • S. Nespurek, J. Sworakowski. Phys. Status Solidi A, 41 (2), 619 (1977)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ, 21, 370 (1977)
  • N.A. Goryunova. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  • А.Н. Зюганов, А.М. Иванов, С.В. Свечников. Электрон. моделирование, 12, 6 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.