"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Тагиев О.В.1,2, Асадуллаева С.Г.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Вольт-амперные характеристики структуры In-ZnGa2Se4-In исследовались в интервале температур 90-335 K. На основании расчетных данных для концентрации трех типов ловушек носителей заряда в ZnGa2Se4 получены величины Nt=1.4· 1013, 8.2· 1012, 2.6· 1012 см-3, определены прозрачность контактной области D*k=10-5, скорость поверхностной рекомбинации Sk=0.65 м/с, время жизни носителей заряда tau=1.5· 10-4 с. Установлено, что в электрических полях меньше 103 В/см механизм токопрохождения обусловлен монополярной инжекцией носителей заряда.
  1. J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 27, 448 (1961)
  2. N.A. Goryunova. The Chemistry of Diamond-Like Semiconductors (Chapman and Hall, London, 1965)
  3. L.I. Berger, V.D. Prochukhan. Ternary Diamond-Like Semiconductors (Consultants Bureau, N.Y., 1969)
  4. W. Ludwig, G. Voigt. Phys. Status Solidi, 24, K 161 (1967)
  5. J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 26, 647 (1960)
  6. R. Nitsche, W.J. Merz. Helv. Phys. Acta, 35, 275 (1962)
  7. S. Shionoya, Y. Tamoto. J. Phys. Soc. Jpn., 19, 1142 (1962)
  8. L. Krausbauer, R. Nitsche, P. Wild. Proc. Intern. Conf. on Luminescence (Budapest, 1966) p. 1107
  9. G.B. Abdullaev, V.B. Antonov, D.T. Guseinov, R.Kh. Nanu, E.Yu. Salaev. Sov. Phys. Semicond., 2, 878 (1969)
  10. W. Kim, M. Jin, S. Hyeon, Y. Kim, B. Park. Sol. St. Commun., 74 (2), 123 (1990)
  11. Y.-G. Kim, L. Chomsik. J. Appl. Phys., 83 (12), 8068 (1998)
  12. J.W. Kim, Y.J. Kim. J. Eur. Ceramic Soc., 27 (13--15), 3667 (2007)
  13. S.I. Radautsan, I.M. Tiginyanu, V.N. Fulga, Yu.O. Derid. Phys. Status Solidi A, 114 (1), 259 (1989)
  14. X.-S. Jiang, S. Mi, P.-J. Sun, Y. Lu, J.-Q. Liang. Chinese Phys. Lett., 26, 077 102 (2009)
  15. G. Antonioli, P.P. Lottici, C. Razzetti. Phys. Status Solidi B, 152 (1), 39 (2006)
  16. A. Eifler, G. Krauss, V. Riede, V. Kramer, W. Grill. J. Phys. Chem. Sol., 66 (11), 2052 (2005)
  17. D. Errandonea, R.S. Kumar, F.J. Manjon, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu. J. Appl. Phys., 104 (6), 063 524 (2008)
  18. H. Hahn, G. Frank, W. Klinger, A.D. Storger, G. Storger, Z. Anorg. Allg. Chem., 279, 241 (1955)
  19. P. Manca, C. Muntoni, F. Raga, A. Spiga. Phys. Status Solidi B, 44, 51 (1971)
  20. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) ч. 1, гл. 5, с. 103
  21. C. Manfredotti, C.De Blasi, S. Galassini, G. Micocci, L. Ruggiero, A. Tepore. Phys. Status Solidi A, 36, 569 (1976)
  22. S. Nespurek, J. Sworakowski. Phys. Status Solidi A, 41 (2), 619 (1977)
  23. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ, 21, 370 (1977)
  24. N.A. Goryunova. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  25. А.Н. Зюганов, А.М. Иванов, С.В. Свечников. Электрон. моделирование, 12, 6 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.