"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
ИК-спектроскопия решеточных колебаний и сравнительный анализ сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe
Козырев С.П.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Представлен сравнительный анализ многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe. Сопоставлялись индуцированные упругими напряжениями сдвиги собственных частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний материалов, образующих аналогичные сверхрешетки, но выращенные на разных буферных слоях ZnTe и CdTe. Условия формирования квантовых точек в сверхрешетках ZnTe/CdTe на буферных слоях ZnTe и CdTe радикально отличаются. PACS: 78.67.Hc, 78.40.Fy
  1. J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 81, 3183 (1998)
  2. Л.К. Водопьянов, С.П. Козырев, Г. Карчевски. ФТТ, 45, 1713 (2003)
  3. С.П. Козырев. ФТП, 43, 342 (2009)
  4. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 61, 16 015 (2000)
  5. Л.К. Водопьянов, В.С. Виноградов, Н.Н. Мельник, Г. Карчевски. Письма ЖЭТФ, 77 (3--4), 171 (2003)
  6. S. Mackowski, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, S. Kret, A. Szczepanska, P. Dluzewski, G. Prechtl, W. Heiss. Appl. Phys. Lett., 78, 3884 (2001)
  7. V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer. Phys. Rev. Lett., 83, 356 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.