Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 7 » Статья стр. 938
<<<>>>
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Надточий А.М.2, Дубровский В.Г.1,2, Букин М.А.4, Петров В.А.4, Бусов В.В.2, Трошков С.И.2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
PDF версия
Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N2 для синтеза массивов GaAs1-xNx нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500oC и составляет выше 2.7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600oC наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2.7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. PACS: 61.46.Hk, 78.55.-m
  1. I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
  2. Dilute Nitride Semiconductors, ed. M. Henini. ISBN: 978-0-08-044502-1, 2005
  3. Y. Qiu, S.A. Nikishin, H. Temkin, V.A. Elyukhin, Yu.A. Kudriavtsev. Appl. Phys. Lett., 70, 2831 (1997)
  4. А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1153 (1997)
  5. I.P. Soshnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, N.V. Kryzhanovskaya, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, H. Kirmse, W. Neumann, O.M. Gorbenko, G. Lin, J. Wang, R.S. Shiao, J. Chi. Semicond. Sci. Technol., 19, 501 (2004)
  6. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, А.Р. Ковш, И.П. Сошников, А.Ф. Цацульников, H. Kirmse, W. Neumann, J.Y. Chi, J.S. Wang, L. Wei, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП 37, 1363 (2003)
  7. F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  8. И.П. Сошников. Письма ЖТФ, 31 (15), 35 (2005)
  9. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006)
  10. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП, 40, 1103 (2006)
  11. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  12. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  13. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 (2004)
  14. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004)
  15. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
  16. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Н.В. Сибирев, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen. Письма ЖТФ, 34 (12), 88 (2008)
  17. F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
  18. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 77, 035 414 (2008)
  19. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 77, 031 606 (2008)
  20. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989)
  21. Modern Analytical Chemistry, ed. D. Harvey (Mc Graw-Hill, 2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme