Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
4ЗАО Элма
2Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
4ЗАО Элма
Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов 60Co в диапазоне доз 4·106-2·107 Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействя не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700oC приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2·107 Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. PACS: 85.40.Ls; 85.30.Hi
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, I.-H. Lee, C.R. Lee, S.J. Pearton, A. Dabirian, A.V. Osinsky. J. Appl. Phys., 100 (9), 093 715 (2006)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, B. Cui, A.V. Osinsky, P.P. Chow, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov. Appl. Phys. Lett., 93 (15), 159 101 (2008)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.Y. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M.E. Overberg, G.T. Thaler, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 92 (6), 3130 (2002)
- K.J. Seop, S.E. Mohney, Je-Yi Lin, R.S. Kern. Semicond. Sci. Technol., 15 (7), 756 (2000)
- M. Pidun, P. Karduck, J. Mayere, K. Heime, D. Schineller, T. Walther. Appl. Surf. Sci., 179 (1--4), 213 (2001)
- N.A. Papanicolaou, K. Zekentes. Sol. St. Electron., 46 (11), 1975 (2002)
- S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров. Обзоры по электрон. технике. Сер. 1. СВЧ техника, вып. 1, (2001)
- Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
- А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1988)
- A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
- А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников. Письма ЖТФ, 31 (24), 88 (205)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
