Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах
1Технологический институт Южного федерального университета, Таганрог, Россия
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiBx на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~1018 см-3 и концентрацией дислокаций ~(106-108) см-2. Показано, что при температурах T=<sssim400 K токоперенос определяется туннельным током вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. При T>400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0.64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1.3. PACS: 73.25.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.40.Gk
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наукова думка, 1974)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- С.В. Булярский, Н.С. Глушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992)
- А.А. Чернышев. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (М., Радио и связь, 1988)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров. ФТП, 31 (2), 152 (1997)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30 (1), 92 (1996)
- С.Ж. Каражанов, И.Г. Атабаев, Т.М. Салиев, Э.В. Канаки, Е. Джаксимов. ФТП, 35 (1), 75 (2001)
- P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolany, H. Morkoc, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
- X.A. Cao, S.D. Arthur. Appl. Phys. Lett., 85 (18), 3571 (2004)
- X.A. Cao, L.M. Teetsov, M.P. D'Evelyn, D.W. Merfeld, C.H. Jan. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 7 (2004)
- J.F. Barbot, C. Blanchard, J.L. Demenet. Phys. Status Solidi B, 222, 159 (2000)
- V.L. Litvinov, K.D. Demakov, O.A. Ageev, A.M. Svetlichnyi, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin. Mater. Sci. Forum, 389--393, 905 (2002)
- В.Л. Литвинов, К.Д. Демаков, О.А. Агеев, А.М. Светличный, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, В.В. Миленин. ФТП, 37 (4), 473 (2003)
- М.Э. Райх, И.И. Рузин. ФТП, 19 (7), 1217 (1985)
- Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
- М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, 11 (16), 1018 (1985).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
