Вышедшие номера
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах
Агеев О.А.1, Беляев А.Е.2, Болтовец Н.С.3, Иванов В.Н.3, Конакова Р.В.2, Кудрик Я.Я.2, Литвин П.М.2, Миленин В.В.2, Саченко А.В.2
1Технологический институт Южного федерального университета, Таганрог, Россия
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiBx на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~1018 см-3 и концентрацией дислокаций ~(106-108) см-2. Показано, что при температурах T=<sssim400 K токоперенос определяется туннельным током вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. При T>400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0.64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1.3. PACS: 73.25.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.40.Gk
  1. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  2. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  3. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наукова думка, 1974)
  4. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  5. С.В. Булярский, Н.С. Глушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992)
  6. А.А. Чернышев. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (М., Радио и связь, 1988)
  7. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров. ФТП, 31 (2), 152 (1997)
  8. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)
  9. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  10. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  11. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  12. В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30 (1), 92 (1996)
  13. С.Ж. Каражанов, И.Г. Атабаев, Т.М. Салиев, Э.В. Канаки, Е. Джаксимов. ФТП, 35 (1), 75 (2001)
  14. P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolany, H. Morkoc, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
  15. X.A. Cao, S.D. Arthur. Appl. Phys. Lett., 85 (18), 3571 (2004)
  16. X.A. Cao, L.M. Teetsov, M.P. D'Evelyn, D.W. Merfeld, C.H. Jan. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 7 (2004)
  17. J.F. Barbot, C. Blanchard, J.L. Demenet. Phys. Status Solidi B, 222, 159 (2000)
  18. V.L. Litvinov, K.D. Demakov, O.A. Ageev, A.M. Svetlichnyi, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin. Mater. Sci. Forum, 389--393, 905 (2002)
  19. В.Л. Литвинов, К.Д. Демаков, О.А. Агеев, А.М. Светличный, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, В.В. Миленин. ФТП, 37 (4), 473 (2003)
  20. М.Э. Райх, И.И. Рузин. ФТП, 19 (7), 1217 (1985)
  21. Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
  22. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, 11 (16), 1018 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.