Вышедшие номера
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах
Агеев О.А.1, Беляев А.Е.2, Болтовец Н.С.3, Иванов В.Н.3, Конакова Р.В.2, Кудрик Я.Я.2, Литвин П.М.2, Миленин В.В.2, Саченко А.В.2
1Технологический институт Южного федерального университета, Таганрог, Россия
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiBx на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~1018 см-3 и концентрацией дислокаций ~(106-108) см-2. Показано, что при температурах T=<sssim400 K токоперенос определяется туннельным током вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. При T>400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0.64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1.3. PACS: 73.25.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.40.Gk