"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP2 моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Вайполин А.А.2, Боднарь И.В.3, Осипова М.А.3, Ушакова Т.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP2. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP2. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. PACS: 61.10-i, 61.82.Fk
  1. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  2. В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1978)
  3. И.С. Горбань, В.В. Луговской, И.И. Тычина, А.В. Федотовский. Письма ЖЭТФ, 17, 193 (1973)
  4. А.А. Вайполин, Ю.А. Валов, Р.В. Масагутова, Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 14, 133 (1980)
  5. Ю.В. Рудь. Автореф. канд. дис. (Ульяновск, УльянГУ, 2005)
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  7. А.А. Вайполин, Н.А. Горюнова, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь, Д.Н. Третьяков. ДАН СССР, 154, 1116 (1964)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
  9. E. Hermandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
  10. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  11. A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  12. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.