Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si_1-xGe_x : Er, связанные с ионами Er³⁺

Красильникова Л.В.¹, Степихова М.В.¹, Байдакова Н.А.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Красильник З.Ф.¹, Чалков В.Ю.², Шенгуров В.Г.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 31 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si_1-xGe_x : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er³⁺, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si_1-xGe_x : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si_1-xGe_x : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодеожащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si_1-xGe_x : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. PACS: 71.55.Ht, 78.55.Ap, 78.55.Hx, 78.66.Db, 78.66.Li

M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
Z.F. Krasilnik, B.A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D.I. Kryzhkov, L.V. Krasilnikova, V.P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D.Yu. Remizov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, V.Yu. Timoshenko, N.Q. Vinh, A.N. Yablonskiy, D.M. Zhigunov. J. Mater. Res., 21, 574 (2006)
М.В. Степихова, Д.М. Жигунов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, В.Ю. Чалков, С.П. Светлов, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, З.Ф. Красильник. Письма ЖЭТФ, 81, 614 (2005)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ., 65 (2), 203 (2001)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.В. Постников. Кристаллография, 16, 432 (1971)
M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, D.M. Zhigunov, O.A. Shalygina, V.Yu. Timoshenko. J. Opt. Mater., 28 (6--7), 893 (2006)
H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
A.Yu. Andreev, B.A. Andreev, H. Ellmer, H. Hutter, Z.F. Krasil'nik, V.P. Kuznetsov, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, K. Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, E.A. Uskova. J. Cryst. Growth, 201/202, 534 (1999)
Б.А. Андреев, Т. Грегоркевич, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, Д.И. Курицын, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, В. Янч. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 273 (2003)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Б.Я. Бер, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский. ФТП, 36, 662 (2002)
W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier. J. Luminesc., 80, 9 (1999)
М.В. Степихова. Автореф. канд. дис. (Нижний Новгород, 2006)
K.R. Lea, M.J.M. Leask, W.P. Wolf. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1381 (1962)
А. Абрагам, Б. Блини. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов (М., Мир, 1973)
Б.А. Андреев, А.Ю. Андреев, Д.М. Гапонова, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, А.В. Новиков, М.В. Степихова, В.Б. Шмагин, Е.А. Ускова, С. Ланцершторфер. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (2), 269 (2000)
М.С. Бреслер, Т. Грегоркевич, О.Б. Гусев, Н.А. Соболев, Е.И. Теруков, И.Н. Яссиевич, Б.П. Захарченя. ФТТ, 41 (5), 851 (1999)
O.B. Gusev, M.S. Bresler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 64, 075 3021 (2001)
J. Palm, F. Gan, B. Zheng, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель