Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn2n+1Se3n+2 (n=3-6)
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 24 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
Методом направленной кристаллизации впервые выращены монокристаллы тройных полупроводников CuIn2n+1Se3n+2 с показателем состава n=3,5 и 6. Установлено, что эти кристаллы имеют гексагональную симметрию и близкие значения параметров элементарной ячейки. Созданы фотоэлектрохимические ячейки на основе монокристаллов CuIn2n+1Se3n+2 и In2Se3, получены первые спектры их фоточувствительности, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Слабая зависимость параметров зонного спектра и элементарной ячейки этих полупроводников при показателе состава n>= 2 связывается с особенностями межатомного взаимодействия в таких фазах. Сделан вывод о возможностях применения новых полупроводников CuIn2n+1Se3n+2 в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. PACS: 82.47.Jk, 85.30.Hi, 84.60.Jt
- И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
- I.V. Bodnar, I.A. Victorov, M. Leon, B.Kh. Bairamov, V.Yu. Rud, Yu.V. Rud. Phys. Status Solidi C, 3, 2635 (2006)
- I.V. Bodnar, V.Yu. Rud, Yu.V. Rud, B.Kh. Bairamov, I.A. Victorov, M. Leon. Thin Sol. Films, 515, 5763 (2007)
- O. Lundberg, V. Edoff, L. Stolt. Proc. Solar World Congress ISES. 2003 (June 14--19, 2003. Goteborg, Sweden) p 57
- J. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (N.J., Prentice--Wall, Inc. Englwood Cliffs, 1971)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
- И.В. Боднарь, Е.С. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75, 58 (2007)
- И.В. Боднарь, А.М. Ковальчук, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33 (4), 58 (2007)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
