Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе Cd_xHg_1-xTe

Исмайлов Н.Д.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе структуры Al-n-Cd_xHg_1-xTe с тонким диэлектрическим зазором реализован фотоприемник с управляемой напряжением смещения спектральной характеристикой фотоответа. Особенности спектральной характеристики фототока объясняются изменением соотношения между поверхностным и объемным компонентами фототока при изменении напряжения смещения. Показана возможность одновременной регистрации и управления спектральной характеристикой фоточувствительности на краю фундаментального поглощения и в коротковолновой области спектра. PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 73.40.Gv

Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко. УФЖ, 26, 670 (1981)
N.J. Ismailov, E.K. Guseinov. Tr. J. Phys., 18 (4), 669 (1994)
В.Л. Бакуменко, А.Н. Свиридов. Прикл. физика, вып. 2, 34 (1999)
В.А. Зуев, В.Г. Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы (М., Радио и связь, 1983)
L. Pahun, Y. Campidelli, F. Arnaud d'Advitava, P.A. Bodoz. Appl. Phys. Lett., 10 (60), 1166 (1992)
Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, А. Тезер, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 31, 740 (1997)
В.А. Зуев, В.Г. Литовченко, В.Г. Попов, Г.А. Сукач. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 12, 32 (1973)
Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 8, С. 276

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель