"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе CdxHg1-xTe
Исмайлов Н.Д.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

На основе структуры Al-n-CdxHg1-xTe с тонким диэлектрическим зазором реализован фотоприемник с управляемой напряжением смещения спектральной характеристикой фотоответа. Особенности спектральной характеристики фототока объясняются изменением соотношения между поверхностным и объемным компонентами фототока при изменении напряжения смещения. Показана возможность одновременной регистрации и управления спектральной характеристикой фоточувствительности на краю фундаментального поглощения и в коротковолновой области спектра. PACS: 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 73.40.Gv
  1. Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко. УФЖ, 26, 670 (1981)
  2. N.J. Ismailov, E.K. Guseinov. Tr. J. Phys., 18 (4), 669 (1994)
  3. В.Л. Бакуменко, А.Н. Свиридов. Прикл. физика, вып. 2, 34 (1999)
  4. В.А. Зуев, В.Г. Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы (М., Радио и связь, 1983)
  5. L. Pahun, Y. Campidelli, F. Arnaud d'Advitava, P.A. Bodoz. Appl. Phys. Lett., 10 (60), 1166 (1992)
  6. Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, А. Тезер, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 31, 740 (1997)
  7. В.А. Зуев, В.Г. Литовченко, В.Г. Попов, Г.А. Сукач. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 12, 32 (1973)
  8. Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 8, С. 276

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.