"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs
Акопян А.А.1, Бахронов Х.Н.2, Борковская О.Ю.1, Дмитрук Н.Л.1, Ёдгорова Д.М.2, Каримов А.В.2, Конакова Р.В.1, Мамонтова И.Б.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 21 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p+-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из AlxGa1-xAs, полученным жидкофазной эпитаксией. PACS: 68.55.Ac, 68.55.Jk, 85.30.Kk, 85.60.Dw
  1. И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л. Дмитрук, А.В. Каримов, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, С.Г. Конников, И.Б. Мамонтова. ФТП, 40 (7), 876 (2006)
  2. A.A. Akopyan, O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk, A.V. Karimov, R.V. Konakova, V.V. Milenin, A.V. Sachenko, M.N. Tursunov, D.M. Yodgorova. Photoconverters with AlGaAs--GaAs heterojunction on textured GaAs substrates (Tashkent, Fan Publishers, 2004)
  3. А.В. Каримов, Д.М. Едгорова. Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом (Ташкент, ФАН, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.