"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
Кастро Р.А.1, Бордовский В.А.1, Анисимова Н.И.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника Ge0.285Pb0.15S0.565 впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и энергетического распределения плотности состояний заряженных дефектов. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемой системе недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников. PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv, 73.61.Jc
  1. N.I. Anisimova, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Rad. Eff. Def. Solids (REDS), 156, 359 (2001)
  2. G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, R.A. Castro, V. Seldjaev. Abstracts II Int. Materials Symp. (Materials 2003), April 2003 (Caparica, Portugal) p. 59
  3. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
  4. Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, N 2 (4), 7 (2002)
  5. С.Д. Барановский, Г.А. Бордовский, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, В.М. Любин, Н.А. Савинова. ФТП, 18 (6), 1016 (1984)
  6. G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Abstracts 1st Int. Conf. on Dielectric Spectroscopy (DS 2001), 12--15 March 2001 (Jerusalem, Israel), p. 95

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.