Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы выпрямления высокочастотного сигнала полевым гетеротранзистором с коротким каналом

Орлов М.Л.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследовано влияние на вольт-ваттную чувствительность полевого транзистора с коротким каналом нелинейности дрейфовой скорости свободных носителей заряда, градиентных и концентрационных нелинейностей. Результаты теории сопоставлены с результатами эксперимента по детектированию терагерцового излучения. Из сопоставления следует, что для лучшего понимания наблюдаемых закономерностей при анализе высокочастотных характеристик транзистора необходимо учитывать наряду с плазменным и другие механизмы токовой нелинейности. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Mx, 84.40.Dc, 85.30.Tv

Proc. SEMICON Europa 2004 (Munich, Germany, 2004)
M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
M. Dyakonov, M. Shur. IEEE. Trans. Electron. Dev., 43, 380 (1996)
W. Knap. J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V.V. Popov, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 84, 2331 (2004)
M.L. Orlov, F. Teppe, W. Knap, A.El Fatimy, J. Lusakowski, S. Bollaert, A. Cappy. Book Abstr. Int. Conf. " Micro- and Nanoelectronics, ICMNE 2005" (Zvenigorod, Russia, 2005) P2-21
W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 81, 4637 (2002)
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, С.В. Морозов, Ф.Ф. Дубинов, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrovska, K. Galaszevska, M.S. Shur. ФТТ, 46, 146 (2004)
W. Knap, V. Kachorovskii, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.Q.R. Gaska, G. Simin, X. Hu, M.A. Khan, C.A. Saylor, L.C. Brunel. J. Appl. Phys., 91, 9346 (2002)
D. Veksler, F. Teppe, A.P. Dmitriev, V.Yu. Kachorovskii, W. Knap, M.S. Shur. Phys. Rev. B, 73, 125 328 (2006)
Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977)
С.П. Ашмонтас, Ю.К. Пожела, К.К. Репшас. Лит. физ. сб., 11, 243 (1971)
В. Денис, Ю.К. Пожела. Горячие электроны (Вильнюс, Минтис, 1971)
В.Н. Гусятников, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов и др. Электрон. техн. сер. 1. Электроника СВЧ, 11 (347), 25 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель