"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода
Гаман В.И.1, Балюба В.И.1, Грицык В.Ю.1, Давыдова Т.А.1, Калыгина В.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO2-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO2 d=369 нм изменение напряжения плоских зон Ufb при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO2 за счет поляризации атомов водорода (Ha). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон Delta Ufb от концентрации водорода nH2. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) Delta Ufb в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO2-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости Delta Ufb и времени релаксации емкости области пространственного заряда от nH2. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO2 и SiO2-n-Si. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Qv, 82.65.+r
  1. J. Fogelberg, M. Eriksson, H. Dannetun, L.-G. Peterson. J. Appl. Phys., 78 (2), 988 (1995)
  2. A. Diligenti, M. Stagi, V. Ciuti. Sol. St. Commun., 45, 347 (1983)
  3. В.И. Гаман, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
  4. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  5. J. Chevallier, M. Auconturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
  6. Э.М. Омельяновский, Ф.Я. Полякова. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
  7. В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 42 (9), 3 (1999)
  8. L.-G. Peterson, H.M. Dannetun, J. Fogelberg, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 58 (1), 404 (1985)
  9. И.Ф. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.