Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 136
<<<>>>
Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана
Министерство образования и науки Российской Федерации, FSRM-2023–0007
Колесина Д.Е.1, Кочетков Ф.М.1,2, Воробьев А.А.1, Новикова К.Н.1, Голтаев А.С.1, Мухин И.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: diana666167@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2025 г.
Принята к печати: 23 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2025 г.
PDF версия
Представлено создание эластичного светодиода на основе инкапсулированного массива нитевидных микрокристаллов структуры "ядро-оболочка" InGaN/GaN в коммерческий полидиметисилоксан "Sylgard 184". Для улучшения электрических, механических свойств и удобства измерений методом проекционной оптической литографии были созданы верхний - адресный и нижний - общий пиксельные электроды. Были измерены электрофизические и оптические характеристики устройства, которые показывают, что светодиод, излучающий в синем спектральном диапазоне, обладает стабильной работой при растяжении на 10 %. Ключевые слова: эластичная электроника, синие светодиоды, АIIIBV нитевидные микрокристаллы, ПДМС, углеродные нанотрубки, проекционная оптическая литография.
  1. J. Heikenfeld, A. Jajack, J. Rogers, P. Gutruf, L. Tian, T. Pan, R. Li, M. Khine, J. Kim, J. Wang, J. Kim. Lab Chip, 18, 217 (2018)
  2. M. Kong, M. Yang, R. Li, Y.-Z. Long, J. Zhang, X. Huang, X. Cui, Y. Zhang, Z. Said, C. Li. Int. J. Adv. Manufact. Technol., 131, 3205 (2024)
  3. Z. Zhou, K. Chen, X. Li, S. Zhang, Y. Wu, Y. Zhou, K. Meng, C. Sun, Q. He, W. Fan, E. Fan, Z. Lin, X. Tan, W. Deng, J. Yang, J. Chen. Nature Electronics, 3, 571 (2020)
  4. A. Yu, M. Zhu, C. Chen, Y. Li, H. Cui, S. Liu, Q. Zhao. Adv. Healthcare Mater., 13 (2), 2302460 (2024)
  5. Y. Du, J.H. Kim, H. Kong, A.A. Li, M.L. Jin, D.H. Kim, Y. Wang. Adv. Healthcare Mater., 13 (16), 2303461 (2024)
  6. S.A. Behera, S. Panda, S. Hajra, K.R. Kaja, A.K. Pandey, A. Barranco, S.M. Jeong, V. Vivekananthan, H.J. Kim, P.G.R. Achary. Adv. Sustainable Systems, 8 (12), 2400344 (2024)
  7. T. Blecha, M. Hirman, J. Navratil. Power Electronic Dev. Components, 7, 100056 (2024)
  8. A. Salehi, X. Fu, D. Shin, F. So. Adv. Funct. Mater., 29 (15), 1808803 (2019)
  9. A. Sugimoto, H. Ochi, S. Fujimura, A. Yoshida, T. Miyadera, M. Tsuchida. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 10, 107 (2004)
  10. X. Dai, A. Messanvi, H. Zhang, C. Durand, J. Eymery, C. Bougerol, F.H. Julien, M. Tchernycheva. Nano Lett., 15, 6958 (2015)
  11. N. Guan, X. Dai, A. Messanvi, H. Zhang, J. Yan, E. Gautier, C. Bougerol, F.H. Julien, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva. ACS Photonics, 3, 597 (2016)
  12. L. Guniat, P. Caroff, A. Fontcuberta i Morral. Chem. Rev., 119, 8958 (2019)
  13. Q. Zhang, N. Wei, P. Laiho, E.I. Kauppinen. Top. Curr. Chem. Collections, 375, 90 (2017)
  14. A.G. Nasibulin, P.V. Pikhitsa, H. Jiang, D.P. Brown, A.V. Krasheninnikov, A.S. Anisimov, P. Queipo, A. Moisala, D. Gonzalez, G. Lientschnig, A. Hassanien, S.D. Shandakov, G. Lolli, D.E. Resasco, M. Choi, D. Tomanek, E.I. Kauppinen. Nature Nanotechnol., 2, 156 (2007)
  15. E.P. Gilshteyn, S.A. Romanov, D.S. Kopylova, G.V. Savostyanov, A.S. Anisimov, O.E. Glukhova, A.G. Nasibulin. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 27327 (2019)
  16. S. Mukhangali, V. Neplokh, F. Kochetkov, A. Vorobyev, D. Mitin, M. Mukhin, D.K. Krasnikov, J. Tian, R. Islamova, A.G. Nasibulin, I. Mukhin. Appl. Phys. Lett., 121 (24), 243504 (2022)
  17. R. Koester, J.S. Hwang, C. Durand, D. Le Dang, J. Eymery. Nanotechnology, 21 (1), 015602 (2010).
  18. F.M. Kochetkov, V. Neplokh, V.V. Fedorov, A.D. Bolshakov, V.A. Sharov, I.E. Eliseev, M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, A.G. Nasibulin, R.M. Islamova, I.S. Mukhin. Nanotechnology, 31, 46LT01 (2020)
  19. V. Neplokh, F.M. Kochetkov, K.V. Deriabin, V.V. Fedorov, A.D. Bolshakov, I.E. Eliseev, V.Yu. Mikhailovskii, D.A. Ilatovskii, D.V. Krasnikov, M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, A.G. Nasibulin, I.S. Mukhin, R.M. Islamova. J. Mater. Chem. C, 8, 3764 (2020)
  20. F.M. Kochetkov, V. Neplokh, V.A. Mastalieva, S. Mukhangali, A.A. Vorob'ev, A.V. Uvarov, F.E. Komissarenko, D.M. Mitin, A. Kapoor, J. Eymery, N. Amador-Mendez, C. Durand, D. Krasnikov, A.G. Nasibulin, M. Tchernycheva I.S. Mukhin. Nanomater., 11, 1503 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme