Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 141
<<<>>>
Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)
Климов Е.А. 1, Виниченко А.Н. 1,2, Васильевский И.С. 1,2, Клочков А.Н.1,2, Пушкарев С.С. 3, Бурлаков И.Д. 1
1АО НПО "Орион", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: klimov_evgenyi@mail.ru, anklochkov@mephi.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 5 июня 2025 г.
Принята к печати: 19 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2025 г.
PDF версия
Представлены результаты роста пленок CdTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах на нелегированных полуизолирующих подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100), без зародышевого слоя. Подготовка атомарно-чистой поверхности подложки с дальнейшим синтезом пленок GaAs и CdTe проводилась в единой сверхвысоковакуумной системе с in situ контролем методами дифракции быстрых электронов на отражение и пирометрии. С помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, спектроскопии фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии изучено влияние температуры роста на структурное качество эпитаксиальных пленок CdTe. Показано, что синтезированные эпитаксиальные пленки CdTe имеют преимущественную кристаллографическую ориентацию (111) с двойникованием, при этом их кристаллическое качество монотонно улучшается при повышении ростовой температуры подложки до 450 oC. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, CdTe, теллурид кадмия, дефекты двойникования, монокристалл.
  1. R. Furstenberg, J.O. White, G.L. Olson. J. Electron. Mater., 34 (6), 791 (2005). https://doi.org/10.1007/s11664-005-0022-8
  2. M.A. Quijada, A.M. Russell, R.J. Hil. Proc. SPIE 5904, Cryogenic Optical Systems and Instruments XI (18 August 2005), 59040Q. https://doi.org/10.1117/12.618734
  3. Sh.O. Eminov, A.A. Rajabli, T.I. Ibragimov. Inorg. Mater., 46 (7), 714 (2010). DOI: 10.1134/S0020168510070058
  4. M. Carmody, A. Yulius, D. Edwall, D. Lee, E. Piquette, R. Jacobs, D. Benson, A. Stoltz, J. Markunas, A. Almeida. J. Electron. Mater., 41, 2719 (2012). https://doi.org/10.1007/s11664-012-2129-z
  5. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, П.В. Сизиков, И.Н. Ужаков. Автометрия, 49 (5), 68 (2013) https://www.elibrary.ru/item.asp?id=20501810
  6. W. Lei, R.J. Gu, J. Antoszewski, J. Dell, G. Neusser, M. Sieger, B. Mizaikof, L. Faraone. J. Electron. Mater., 44, 3180 (2015). https://doi.org/10.1007/s11664-015-3876-4
  7. W. Lei, Y.L. Ren, I. Madni, L. Faraone. Infr. Phys. Technol., 92, 96 (2018). https://doi.org/10.1016/j.infrared.2018.05.010
  8. M.F. Vilela, K.R. Olsson, E.M. Norton, J.M. Peterson, K. Rybnicek, D.R. Rhiger, C.W. Fulk, J.W. Bangs, D.D. Lofgreen, S.M. Johnson. J. Electron. Mater., 42, 3231 (2013). https://doi.org/10.1007/s11664-013-2798-2
  9. В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Д.В. Марин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, А.В. Царенко, М.В. Якушев. ФТП, 50 (12), 1652 (2016). DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43894.40
  10. M.F. Vilela, D.D. Lofgreen, E.P.G. Smith, M.D. Newton, G.M. Venzor, J.M. Peterson, J.J. Franklin, M. Reddy, Y. Thai, E.A. Patten, S.M. Johnson, M.Z. Tidrow. J. Electron. Mater., 37, 1465 (2008). https://doi.org/10.1007/s11664-008-0443-2
  11. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/7374
  12. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 274, 339 (2005). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.10.053
  13. M. Reddy, J.M. Peterson, T. Vang, J.A. Franklin, M.F. Vilela, K. Olsson, E.A. Patten, W.A. Radford, J.W. Bangs, L. Melkonian, E.P.G. Smith, D.D. Lofgreen, S.M. Johnson. J. Electron. Mater., 40 (8), 1706 (2011). DOI: 10.1007/s11664-011-1665-2
  14. W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2, 041303 (2015). DOI: 10.1063/1.4936577
  15. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия, 56 (5), 12 (2020). DOI: 10.15372/AUT20200502
  16. K.H. Lee, J.H. Jung, T.W. Kim, H.S. Lee, H.L. Park. Appl. Surf. Sci., 253 (20), 8470 (2007). DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.04.019
  17. Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, А.В. Колесников. Автометрия, 50 (3), 25 (2014). https://www.sibran.ru/journals/issue.php?ID=161181
  18. M.S. Kwon, J.Y. Lee, M.D. Kim, T.W. Kang. J. Cryst. Growth, 186 (1), 79 (1998). DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00442-9
  19. K. Koike, T. Tanaka, S. Li, M. Yano. J. Cryst. Growth, 227-228, 671 (2001). https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)00800-4
  20. S.X. Zhang, J. Zhang, X.F. Qiu, Y. Wu, P.P. Chen. J. Cryst. Growth, 546, 125756 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125756
  21. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, Ltd, 2009). ISBN: 978-0-470-74369-0
  22. С.Ф. Солодовников. Основные термины и понятия структурной кристаллографии и кристаллохимии (cловарь-пособие) (Новосибирск, ИНХ СО РАН, 2005) с. 51
  23. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах, пер. с англ. под ред. А.Н. Орлова и В.Р. Регеля. (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
  24. A. Klochkov, A. Vinichenko, A. Samolyga, S. Ryndya, M. Poliakov, N. Kargin, I. Vasil'evskii. Appl. Surf. Sci., 619, 156722 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.156722
  25. R.E. Treharne, A. Seymour-Pierce, K. Durose, K. Hutchings, S. Roncallo, D. Lane. J. Phys.: Conf. Ser., 286, 012038 (2011). DOI: 10.1088/1742-6596/286/1/012038
  26. M.N. Polyanskiy. Sci. Data, 11, 94 (2024). DOI: 10.1038/s41597-023-02898-2
  27. S. Adachi, T. Kimura, N. Suzuki. J. Appl. Phys., 74, 3435 (1993). http://dx.doi.org/10.1063/1.354543
  28. В.С. Евстигнеев, А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, С.В. Морозов, Д.И. Курицын. ФТП, 55 (1), 9 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50377.9514
  29. И.С. Курчатов, Е.Ф. Кустов. ФТП, 52 (7), 679 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46034.8542
  30. Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский. ФТП, 40 (10), 1175 (2006). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6163
  31. И.С. Васильевский, С.С. Пушкарев, М.М. Грехов, А.Н. Виниченко, Д.В. Лаврухин, О.С. Коленцова. ФТП, 50 (4), 567 (2016). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43006

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme