Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние плотности энергии высокоинтенсивного пучка ионов титана на накопление и диффузию в кремнии
Russian Science Foundation, 22-79-10061
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия 
Email: bai@tpu.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 18 июня 2025 г.
Принята к печати: 2 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2025 г.
Методом синергии высокоинтенсивной имплантации и одновременного энергетического воздействия пучка ионов титана с плотностью тока 1.6 А/см2 на поверхность кремния сформированы ионно-легированные слои толщиной до 2.6 мкм. Представлены результаты закономерностей накопления титана в кремнии от длительности и частоты импульсов при фиксированной плотности мощности ионного пучка 9.6·104 Вт/см2. Методом электронной оже-спектроскопии получены распределения примеси по глубине модифицированного слоя. Рентгенофазовый анализ показал наличие фаз дисилицида титана TiSi2, силицид титана TiSi. Ключевые слова:синергия высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия, плотность энергии, диффузия, титан, кремний.
- J.S. Williams, J.M. Poate. Ion Implantation and Beam Processing (Academic Press, Orlando, 1984) p. 672
- A. Anders. Handbook of Plasma Immersion Implantation and Depositio (John Wiley \& Sons, N.Y., 2000) p. 760
- R. Wei. Surf. Coat. Technol., 83, 218 (1996)
- А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров. ЖТФ, 58 (3), 559 (1988)
- J.F. Ziegler. SRIM-2008. http://www.srim.org
- S.Q. Lim, A.J. Akey, E. Napolitani, P.K. Chow, J.M. Warrender, J.S. Williams. J. Appl. Phys., 129 (6), 065701 (2021)
- E. Garci a-Hemme, R. Garci a-Hernansanz, J. Olea, D. Pastor, A. del Prado, I. Martil, G. Gonzalez-Di az. Appl. Phys. Lett., 104 (21), 211105 (2014)
- Z. Tong, M. Bu, Y. Zhang, D. Yang, X. Pi. J. Semicond., 43 (9), 093101 (2022)
- W. Kai, L. Xiao-hong, Z. Yan-bing, W. Cai, L. De-xiong. Acta Photonica Sinica, 47 (9), 916005 (2018)
- M-J. Sher, E.G. Hemme. Semicond. Sci. Technol., 38 (3), 033001 (2023)
- А.И. Иванова, Г.А. Блейхер, Д.Д. Зайцев. Proc. 9th Int. Congress on Energy Fluxes and Radiation Effect (Sept. 16-21, 2024, Tomsk, Russia) p. 1035
- A.I. Ryabchikov. IEEE Trans. Plasma Sci., 49 (9), 2529 (2021)
- Д.О. Вахрушев, А.В. Гурулев, Д.Д. Ефимов, А.И. Иванова, О.С. Корнева. Изв. вузов. Физика, 66 (4), 134 (2023)
- А.И. Иванова, О.С. Корнева, И.А. Божко, А.В. Гурулев, Д.Д. Зайцев, И. Мерзляков. Proc. 9th Int. Congress on Energy Fluxes and Radiation Efft (Sept. 16-21, 2024, Tomsk, Russia) p. 1028
- A.I. Ryabchikov, D.O. Vakhrushev, S.V. Dektyarev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 1057, 168711 (2023).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
