При молекулярно-лучевой эпитаксии существует два механизма нагрева подложки: теплопроводность и тепловое излучение. В работе рассматривается вклад лучистого нагрева в установление температуры образца в процессе эпитаксии слоя CdHgTe. На начальной стадии роста меняется излучательная способность структуры и нарушается тепловой баланс. Численными расчетами показано, что в отсутствие теплового контакта между образцом и нагревателем это должно приводить к значительному возрастанию равновесной температуры структуры. Рассчитана динамика изменения температуры при непрерывном росте слоя CdHgTe. Из этих расчетов следует, что остаточное изменение температуры будет наблюдаться также и после прекращения роста. Эксперименты, проведенные на спектральном эллипсометре, не обнаружили ожидаемых изменений температуры. Из этого сделан вывод, что в установках типа "Обь", когда образец находится в механическом контакте с нагретой графитовой шайбой, излучательный механизм нагрева не является доминирующим. Ключевые слова:излучательный нагрев, спектр поглощения, температура поверхности роста, тепловой контакт, кадмий-ртуть-теллур, эллипсометрия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.