Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 130
<<<>>>
Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP2
Власов А.С.1, Аксенов В.Ю.1, Анкудинов А.В.1, Берт Н.А.1, Калюжный Н.А.1, Павлов Н.В.1, Пирогов Е.В.2, Салий Р.А.1, Сошников И.П.1,2, Щенин А.С.1,3, Минтаиров А.М.1
1Физико-технический институ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2025 г.
Принята к печати: 23 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2025 г.
PDF версия
Методом эпитаксии из металлорганических соединений на подложках GaAs получены спонтанно упорядоченные слои AlGaInP2 со структурой CuPtB и степенью упорядочения eta=0.16-0.46. Используя метод зондовой микроскопии Кельвина, обнаружена зависимость величины поверхностного потенциала слоев от eta. Сравнительный анализ поведения CuPtB-AlGaInP2- и CuPtB-GaInP2-твердых растворов при механическом воздействии показал наличие мартенситного перехода и связанного с ним изменения поверхностного потенциала в обоих материалах. Обнаружено влияние Al на увеличение величины встроенного электрического поля в напряженном состоянии кристаллической решетки, а также уменьшение времени восстановления (релаксации) слоя. Ключевые слова: пьезоэлектрический эффект, мартенситный переход, AlGaInP2, кельвин-зондовая микроскопия.
  1. Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys, ed. by A. Mascarenhas (Springer Science + Business Media LLC, N.Y., 2002) p. 474
  2. R.G. Alonso, A. Mascarenhas, G.S. Homer, K. Sinha, J. Zhu, D.J. Friedman, K.A. Bertness, J.M. Olson. Solid State Commun., 88, 341 (1993)
  3. A.V. Ankudinov, N.A. Bert, M.S. Dunaevskiy, A.I. Galimov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.V. Myasoedov, N.V. Pavlov, M.V. Rakhlin, R.A. Salii, A.A. Toropov, A.S. Vlasov, E.V. Pirogov, M.A. Zhukovskyi, A.M. Mintairov. Appl. Phys. Lett., 124, 052101 (2024)
  4. А.С. Власов, В.Ю. Аксенов, А.В. Анкудинов, Н.А. Берт, Н.А. Калюжный, Д.В. Лебедев, Р.А. Салий, Е.В. Пирогов, А.М. Минтаиров. Опт. и спектр., 132 (11), 1127 (2024)
  5. P.A. Balunov, A.V. Ankudinov, I.D. Breev M.S. Dunaevskiy, A.S. Goltaev, A.I. Galimov, V.N. Jmerik, K.V. Likhachev, M.V. Rakhlin, A.A. Toropov, A.S. Vlasov, A.M. Mintairov. Appl. Phys. Lett., 122, 222102 (2023)
  6. A. Zunger, S. Mahajan. Handbook on Semiconductors (Elsevier, Amsterdam, 1994) v. 3A
  7. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  8. B. Fluegel, A. Mascarenhas, J.F. Geisz. Phys. Rev. B, 80, 125333 (2009)
  9. S. Smith, A. Mascarenhas, J.M. Olson. Phys. Rev. B, 68, 153202 (2003)
  10. T. Mizutani, T. Usunami, Sh. Kishimoto, K. Maezawa. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4893 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme