Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт - омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsilon_{eff 0} может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. В слабых полях (E<10⁵ В/см) значение диэлектрической проницаемости мало зависит от поля, поэтому при E<10⁵ В/см значение varepsilon_{eff 0} может быть использовано как среднее значение varepsilon_eff при обработке результатов измерений. Вычисление зависимости квадрата обратной емкости от высоты потенциального барьера показало, что при малых напряжениях эта зависимость близка к линейной, что позволяет определить по ней концентрацию мелкой примеси. Вычислены зависимости толщины области объемного заряда и поляризации у контакта от высоты потенциального барьера. Результаты моделирования могут быть использованы при обработке результатов эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.