"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт - омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsiloneff 0 может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. В слабых полях (E<105 В/см) значение диэлектрической проницаемости мало зависит от поля, поэтому при E<105 В/см значение varepsiloneff 0 может быть использовано как среднее значение varepsiloneff при обработке результатов измерений. Вычисление зависимости квадрата обратной емкости от высоты потенциального барьера показало, что при малых напряжениях эта зависимость близка к линейной, что позволяет определить по ней концентрацию мелкой примеси. Вычислены зависимости толщины области объемного заряда и поляризации у контакта от высоты потенциального барьера. Результаты моделирования могут быть использованы при обработке результатов эксперимента.
  1. J.F. Scott. Ferroelectric Rev., 1, 2 (1998)
  2. I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integr. Ferroelectr., 43, 175 (2002)
  3. H. Ishiwara. J. Semicond. Technol. Sci., 1, 1 (2001)
  4. J.F. Scott. Jap. J. Appl. Phys., 38, 2272 (1999)
  5. P.W. Bloom, R.M. Wolf, J.F.M. Cillessen, M.P.K.M. Krijn. Phys. Rev., 38, 2107 (1994)
  6. S.L. Miller, R.D. Nasby, J.R. Schwank, M.S. Rodgers, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 68, 6463 (1990)
  7. S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 76, 2489 (1991)
  8. S.L. Miller, P.J. McWhorter. J. Appl. Phys., 72, 5999 (1992)
  9. Л.С. Берман. ФТП, 35, 200 (2001)
  10. A.K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys., 78, 2623 (1995)
  11. P.K. Larsen, G.T.M. Dormans, D.J. Taylor, P.T. van Veldhoven. J. Appl. Phys., 76, 2405 (1994)
  12. Л.С. Берман. ФТП, 39, 332 (2005)
  13. Л.С. Берман. Введение в физику варикапов (Л., Наука, 1968)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.