"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии поперечного квантования на электрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров
Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.
  1. SEMATECH. The International Technology Roadmap for Semiconductors. http: // public.itrs.net / home.htm (2001)
  2. H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron Dev., ED-43 (8), 1233 (1996)
  3. J.P. Shiely. Simulation of tunneling in MOS devices (Duke Univ., NC USA, 1999) Chapt. 5.5
  4. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29 (3), 287 (1986)
  5. E. Aderstedt, I. Medugorac, P. Lundgren. Sol. St. Electron., 46 (4), 497 (2002)
  6. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 33 (9), 1126 (1999)
  7. A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  8. I.V. Grekhov, K. Schmalz, A.F. Shulekin, K. Tittelbach-Helmrich, M.I. Vexler. Cryogenics, 38 (6), 613 (1998)
  9. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  10. W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 1
  12. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
  13. Д.И. Блохинцев. Основы квантовой механики (М., Высш. шк., 1961) с. 121, 329
  14. A. Ghetti, A. Hamad, P.J. Silverman, H. Vaidya, N. Zhao. Proc. SISPAD (Kyoto, 1999) p. 239
  15. A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
  16. A. Haque, K. Alam. Appl. Phys. Lett., 81 (4), 667 (2002)
  17. S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 41 (1981)
  18. L.N. Bolotov, I.V. Makarenko, A.F. Shulekin, A.N. Titkov. Surf. Sci., 331--333, 468 (1995)
  19. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (13), 44 (1991)
  20. R. Khlil, A. El Hdiy, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microelectron. Reliab., 44 (3), 543 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.