"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Посредник О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). В рамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состояния varepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.
  1. A. Fissel. Phys. Reports, 379 (1), 149 (2003)
  2. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (18), 89 (2002)
  3. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  4. A. Fissel, U. Kaizer, B. Schroter, W. Richter, F. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184 (1), 37 (2001)
  5. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  6. А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (10), 1828 (1995)
  7. M.J. Bazack. Phys. Status Solidi B, 202 (2), 549 (1997)
  8. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  9. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  10. А.А. Лебедев. ФТП, 33 (7), 769 (1999)
  11. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17 (10), 1757 (1983)
  12. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  13. Yu. Goldberg, M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N. Y., J. Wiley and Sons, 2001)
  14. G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. Status Solidi B, 57 (1), 423 (1973)
  15. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  16. В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных систем (М., Логос, 2000)
  17. В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1992)
  18. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.