"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV
Ситникова А.А.1, Бобыль А.В.1, Конников С.Г.1, Улин В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Получены пористые подложки GaAs (100) и (111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль < 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на 22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.
  1. S. Luryi, E. Suhir. Appl. Phys. Lett., 49, 140 (1986)
  2. В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999) [V.V. Mamutin, V.P. Ulin, V.V. Tret'jakov, S.V. Ivanov, S.G. Konnikov, P.S. Kopev. Techn. Phys. Lett., 25 (1), 1 (1999)]
  3. A. Atkinson, S.C. Jain, A.H. Harker. J. Appl. Phys., 77, 1907 (1995)
  4. A. Fischer, H. Richter. J. Appl. Phys., 75, 657 (1994)
  5. И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002). [I.N. Arsent'ev, M.V. Bajdakova, A.V. Bobyl', L.S. Vavilova, S.G. Konnikov, V.P. Ulin, N.S. Boltovez, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskii. Techn. Phys. Lett., 28 (9), 735 (2002)]
  6. S. Guha, A. Madhukar, Li Chen. Appl. Phys. Lett., 56, 2304 (1990)
  7. M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kurnetsov, K. Mymbaev, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 78, 117 (2001)
  8. S. Jin, H. Bender, L. Stalmans, R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Loo, M. Caymax. J. Cryst. Growth, 212, 119 (2000)
  9. С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997) гл. 6, с. 254
  10. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография (М., Наука, 1980) т. 3, гл. 1, с. 85
  11. A.V. Bobyl, M.E. Gaevskii, S.F. Karmanenko, R.N. Kutt, R.A. Suris, I.A. Khrebtov, A.D. Tkachenko, A.I. Morosov. J. Appl. Phys., 82, 1274 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.