Вышедшие номера
Гетеропереходы p+-Si--n-CdF2
Баграев Н.Т.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Рыскин А.И.2, Щеулин А.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Диффузия бора и газофазное осаждение слоев кремния используется для получения сверхмелких p+-n-переходов и гетероструктур p+-Si-n-CdF2 на поверхности кристаллов n-CdF2. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p+-n-переходов и гетеропереходов p+-Si-n-CdF2 выявляют запрещенную зону CdF2, 7.8 эВ, а также позволяют идентифицировать строение валентной зоны кристаллов фторида кадмия. В условиях прямого смещения, приложенного к полученным гетеропереходам p+-Si-n-CdF2, впервые были зарегистрированы спектры электролюминесценции в видимом диапазоне длин волн.