Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb_1-xSn_xTe<In>

Акимов А.Н.¹, Ерков В.Г.¹, Климов А.Э.¹, Молодцова Е.Л.¹, Супрун С.П.¹, Шумский В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 7 сентября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

-1 При низких температурах в широком диапазоне напряженности электрического поля исследованы экспериментально вольт-амперные характеристики образцов узкозонного Pb_1-xSn_xTe<In> и проведены их расчеты. Показано, что полученные результаты хорошо описываются теорией токов, ограниченных объемным зарядом, при наличии центров захвата носителей заряда. Сделаны оценки их концентрации и энергии залегания.

Б.А. Волков, В.В. Осипов, О.А. Панкратов. ФТП, 14, 1385 (1980)
Б.А. Волков,О.А. Панкратов. ДАН СССР, 255, 93 (1980)
В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15, 542 (1981)
И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981)
Ю. Каган, К.А. Кикоин. Письма ЖЭТФ, 31, 367 (1980)
A.E. Klimov, D.V. Krivopalov, I.G. Neizvestny, N.I. Petikov, M.A. Torlin, E.V. Fedosenko, V.N. Shumsky. Appl. Surf. Sci., 78, 413 (1994)
Л.Ф. Васильева, А.Э. Климов, Н.И. Петиков, В.Н. Шумский. Неорг. матер., 37, 193 (2001)
А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Автометрия, 3, 65 (2001)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep impurities in semiconductors (N. Y.-London-Sydney-Toronto, John Willey \& Sons, 1973)]
W.W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron. QE- 13, 7, 532 (1977)
Ф.А. Заитов, А.В. Горшков, Г.М. Маляшина, Е.В. Сусов, Т.Ф. Тарасевич. Неорг. матер., 15, 2077 (1979)
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.-London, Academic Press, 1970)]
K.H. Herrmann, K.-P. Mollmann. Phys. Status Solidi (a), 80, K101 (1983)
В.С. Виноградов, И.В. Кучеренко. ФТТ, 9, 33 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель