Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворах Ge1-xSix
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.
Исследовано влияние добавки ~3% кремния на энергетические спектры примесей теллура и селена в германии. Регистировались спектры фотопроводимости при температуре образцов 80 K, в спектральном диапазоне 2.5-5 мкм. На фоне полосы примесной фотопроводимости наблюдались узкие пики возбужденных состояний ионов халькогенов. При данной концентрации кремния не наблюдалось перестройки спектра возбужденных состояний. Происходило увеличение энергетических зазоров между зоной проводимости и примесными состояниями халькогенов.
- H.G. Grimmeiss, L. Montelius, K. Larsson. Phys. Rev. B, 37, 6916 (1988)
- А.Ю. Ушаков, Н.Б. Радчук, Р.М. Штеренгас. ФТП, 29, 754 (1995)
- H.G. Grimmeiss. Helv. Phys. Acta, 56, 317 (1983)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen, B. Skarstam. J. Appl. Phys., 51, 3740 (1980)
- E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954)
- Н.Б. Радчук, А.Ю. Ушаков. ФТП, 16, 1855 (1982).
- Н.Б. Радчук, А.Ю. Ушаков. ФТП, 19, 749 (1985)
- А.Ю. Ушаков, P.M. Штеренгас, Л.М. Штеренгас, Н.Б. Радчук. ФТП, 32, 155 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
