"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворах Ge1-xSix
Радчук Н.Б.1, Ушаков А.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследовано влияние добавки ~3% кремния на энергетические спектры примесей теллура и селена в германии. Регистировались спектры фотопроводимости при температуре образцов 80 K, в спектральном диапазоне 2.5-5 мкм. На фоне полосы примесной фотопроводимости наблюдались узкие пики возбужденных состояний ионов халькогенов. При данной концентрации кремния не наблюдалось перестройки спектра возбужденных состояний. Происходило увеличение энергетических зазоров между зоной проводимости и примесными состояниями халькогенов.
  1. H.G. Grimmeiss, L. Montelius, K. Larsson. Phys. Rev. B, 37, 6916 (1988)
  2. А.Ю. Ушаков, Н.Б. Радчук, Р.М. Штеренгас. ФТП, 29, 754 (1995)
  3. H.G. Grimmeiss. Helv. Phys. Acta, 56, 317 (1983)
  4. H.G. Grimmeiss, E. Janzen, B. Skarstam. J. Appl. Phys., 51, 3740 (1980)
  5. E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954)
  6. Н.Б. Радчук, А.Ю. Ушаков. ФТП, 16, 1855 (1982).
  7. Н.Б. Радчук, А.Ю. Ушаков. ФТП, 19, 749 (1985)
  8. А.Ю. Ушаков, P.M. Штеренгас, Л.М. Штеренгас, Н.Б. Радчук. ФТП, 32, 155 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.