Вышедшие номера
Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54125.37
Тарасова Е.А.1, Хазанова C.В.1, Голиков О.Л.1, Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Земляков В.Е.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: tarasova@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 7 июля 2022 г.
Принята к печати: 7 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.
  1. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
  2. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, С.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов. ФТП, 54 (9), 968 (2020)
  3. С.В. Хазанова, О.Л. Голиков, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков. ФТП, 55 (10), 872 (2021)
  4. И.С. Василевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
  5. B. Razavi. RF Microelectronics (Hamilton Printing Company in Castleton, N.Y., 2012)
  6. С.В  Хазанова, В.Е. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49 (1), 53 (2015)
  7. Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
  8. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, N 1, 54 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.