Методом химического осаждения из газовой фазы, активированной "горячей нитью", выращены гетероэпитаксиальные слои Ge или Ge_1-xSn_x на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках Si(001). Для сравнения такие же слои были выращены на высокоомных подложках Si(001). В тех и других слоях вольт-емкостным методом были измерены профили распределения концентрации носителей заряда по глубине слоев, а в последних слоях дополнительно методом эффекта Холла были измерены подвижности носителей заряда. Установлено, что слои, выращенные на высокоомных подложках, были p-типа проводимости, а слои, выращенные в тех же режимах на высоколегированных подложках, были n-типа с концентрацией электронов в слоях Ge n=(4-9)·10¹⁶ см^-3, а в слоях GeSn n=(2-4)·10¹⁷ cм^-3. Экспериментально и теоретически установлено, что эффект автолегирования слоев Ge и GeSn в методе химического осаждения из газовой фазы, активированной "горячей нитью", отсутствует. По нашему мнению, формирование слоев Ge и GeSn n-типа проводимости при выращивании их на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках n⁺-Si(001) связано с сегрегацией этой примеси при росте буфферного слоя Si и с последующим встраиванием ее в растущие слои Ge или GeSn. Ключевые слова: эпитаксия, легирование, Ge, Si, Sn, концентрация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.