Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53403.38

РНФ, 22-22-00630

Калинников М.А.¹, Лобанов Д.Н.¹, Кудрявцев К.Е.¹, Андреев Б.А.¹, Юнин П.А.¹, Красильникова Л.В.¹, Новиков А.В.¹, Скороходов Е.В.¹, Красильник З.Ф.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: kalinnikov@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 30 июня 2022 г.

В окончательной редакции: 7 июля 2922 г.

Принята к печати: 7 июля 2022 г.

Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности процесса роста многослойных гетероструктур с квантовыми ямами InN/InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота в режиме модулированных потоков металлов. Для компенсации упругих напряжений в структуре активная область была сформирована в виде сверхрешетки InN/InGaN, согласованной по усредненному параметру решетки с нижележащим буферным слоем InGaN. Показано, что при росте относительно узких квантовых ям InN, шириной до 3 нм, в активной области структуры не происходит релаксации упругих напряжений, а плотность дислокаций сохраняется на уровне N_D~(3-4)·10¹⁰ см^-2, что соответствует плотности дислокаций в InGaN-буфере. Такие структуры демонстрируют наиболее интенсивную фотолюминесценцию в диапазоне длин волн 1.3-1.5 мкм. При росте более широких квантовых ям дефектность структур резко возрастает (N_D>10¹¹ см^-2), что сопровождается падением интенсивности эмиссии. Выращенные структуры с квантовыми ямами InN/InGaN продемонстрировали на порядок лучшую температурную стабильность фотолюминесценции по сравнению с объемными слоями InN (гашение фотолюминесценции в ~3 и ~25 раз соответственно, в диапазоне температур 77-300 K). Тем не менее при низкой температуре (T=77 K) интенсивность фотолюминесценции исследуемых структур с квантовыми ямами InN/InGaN заметно уступает таковой для объемного слоя InN, что, по-видимому, указывает на значительную роль безызлучательной рекомбинации по механизму Шокли-Рида-Холла в структурах с квантовыми ямами (в противовес оже-рекомбинации в объемном InN). Ключевые слова: нитрид индия, нитрид галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовая яма, фотолюминесценция, дислокации.

Z.C. Feng. Handbook of solid-state lighting and LEDs (Boca Raton, FL, CRC Press, Taylor \& Francis Group, 2017)
T.D. Veal, C.F. McConville, W.J. Schaff. Indium nitride and related alloys (Boca Raton, FL, CRC Press, Taylor \& Francis Group, 2011)
Q. Guo, O. Kato, A. Yoshida. J. Appl. Phys., 73, 7969 (1993)
S.V. Ivanov, T.V. Shubina, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik. J. Cryst. Growth, 403, 83 (2014)
H. Lu, W.J. Schaff, L.F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, D.C. Look, R.J. Molnar. MRS Symp. Proc., 743, L4.10.1 (2003)
B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L. V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V.Yu. Davydov, Z.F. Krasilnik. Sci. Rep., 8, 9454 (2018)
D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, M.I. Kalinnikov, L.V. Krasilnikova, P.A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov, B.A. Andreev, Z.F. Krasilnik. Appl. Phys. Lett., 118, 151902 (2021)
T. Frost, A. Banerjee, K. Sun, S.L. Chuang, P. Bhattacharya. IEEE J. Quant. Electron., 49(11), 923 (2013)
T. Frost, G.-L. Su, A. Hazari, J.M. Dallesasse, P. Bhattacharya. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 23 (6), 1901409 (2017)
P. Bhattacharya, A. Hazari, S. Jahangir. Proc. SPIE, 10553, 1055302 (2018)
B. Samuel, D. Cooper, N. Rochat, A. Mavel, F. Barbier, A. Dussaigne. J. Appl. Phys., 129, 173105 (2021)
S. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Phys. Status Solidi С, 3 (6), 1953 (2006)
T. Ohashi, P. Holmstrom, A. Kikuchi, K. Kishino. Appl. Phys. Lett., 89, 041907 (2006)
S. Valdueza-Felip, L. Rigutti, F.B. Naranjo, P. Ruterana, J. Mangeney, F.H. Julien, M. Gonzalez-Herraez, E. Monroy. Appl. Phys. Lett., 101, 062109 (2012)
G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 312, 735 (2010)
Q. Dai, M.F. Schubert, M.H. Kim, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett., 94, 111109 (2009)
O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
S.D. Burnham, W.A. Doolittle. J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2100 (2006)
M. Moseley, J. Lowder, D. Billingsley, W.A. Doolittle. Appl. Phys. Lett., 97, 191902 (2010)
Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, А.В. Новиков, П.А. Юнин, М.А. Калинников, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, З.Ф. Красильник. ФТП, 55 (9), 766 (2021)
E.J. Tarsa, B. Heying, X.H. Wu, P. Fini, S.P. den Baars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 82, 5472 (1997)
K. Hestroffer, F. Wu, H. Li, C. Lund, S. Keller, J. Speck, U.K. Mishra. Semicond. Sci. Technol., 30, 105015 (2015)
C.A.M. Fabien, B.P. Gunning, W.A. Doolittle, A.M. Fischer, Y.O. Wei, H. Xie, F.A. Ponce. J. Cryst. Growth, 425, 115 (2015)
E.A. Clinton, E. Vadiee, C.A.M. Fabien, M.W. Moseley, B.P. Gunning, W.A. Doolittle, A.M. Fischer, Y.O. Wei, H. Xie, F.A. Ponce. Solid-State Electron., 136, 3 (2017)
Z. Xing, W. Yang, Z. Yuan, X. Li, Y. Wu, J. Long, S. Jin, Y. Zhao, T. Liu, L. Bian, S. Lu, M. Luo. J. Cryst. Growth, 516, 57 (2019)
Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, П.А. Бушуйкин, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, В.Ю. Давыдов, П.А. Юнин, М.И. Калинников, Е.В. Скороходов, З.Ф. Красильник. ФТП, 53 (10), 1395 (2019)
M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Progr. Phys., 72, 036502 (2009)
G. Koblmuller, S. Fernandez-Garrido, E. Calleja, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 91, 161904 (2007)
L.F.J. Piper, T.D. Veal, C.F. McConville, L. Hai, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 88, 252109 (2006)
X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 90, 151901 (2007)
M. Strassburg, A. Hoffmann, J. Holst, J. Christen, T. Riemann, F. Bertram, P. Fischer. Phys. Status Solidi C, 0 (6), 1835 (2003)
S.L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., 32 (10), 1791 (1996)
A. McAllister, D. Bayerl, E. Kioupakis. Appl. Phys. Lett., 112, 251108 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель