"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии
Светухин В.В.1, Гришин А.Г.1, Приходько О.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 28 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Предложена модель, позволяющая описать кинетику увеличения характерного размера октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии. Показано, что экспериментальные данные различных авторов по кинетике роста преципитатов хорошо описываются в приближении, что рост лимитирован диффузией, а геометрия преципитатов характеризуется постоянным эксцентриситетом.
  1. J.J. Vanhellemont. Appl. Phys., 78, 4297 (1995)
  2. A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4196 (1995)
  3. С.В. Булярский, В.В. Светухин, О.В. Приходько. ФТП, 33, 1281 (1999)
  4. F.S. Ham. Phys. Chem. Sol., 6, 335 (1958)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.