"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электронного парамагнитного резонанса в 4H-SiC в области фазового перехода изолятор--металл. I. Эффекты спинового взаимодействия
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Исследованы особенности электронного парамагнитного резонанса в электронном 4H-SiC : N в области фазового перехода изолятор--металл. Показано, что в изоляторном состоянии в этой области происходит образование антиферромагнитной фазы типа спинового стекла. В результате этого при увеличении легирования концентрация парамагнитной фазы уменьшается, и вблизи критической концентрации примеси резонансная линия от атомов азота исчезает. В металлическом состоянии на месте этой линии наблюдается линия от глубоких примесных центров. Кроме того, в металлическом состоянии в сильных полях наблюдаются две новые линии, которые приписываются свободным носителям заряда.
  1. N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions (Tailor \& Francis, London, 1974; М., Наука, 1979)
  2. G. Feher. Phys. Rev., 114, 1219 (1959)
  3. Б.Г. Журкин, Н.А. Пенин. ФТТ, 6, 1143 (1964)
  4. S. Maekawa, N. Kinoshita. J. Phys. Soc. Japan, 20, 1447 (1965)
  5. H. Ue, S. Maekawa. Phys. Rev. B, 3, 4232 (1971)
  6. K. Morigaki, S. Maekawa. J. Phys. Soc. Japan, 32, 462 (1972)
  7. D.K. Wilson. Phys. Rev. A, 134, 265 (1964)
  8. А.И. Вейнгер. ФТП, 1, 20 (1967)
  9. М.В. Алексеенко, А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, И.Ф. Цветков. Письма ЖЭТФ, 39, 255 (1984)
  10. A.G. Zabrodskii, M.V. Alekseenko, V.A. Il'in, M.P. Timofeev, A.I. Veinger. Proc. 16 Int. Conf. Phys. Semicond. (Stockholm, Sweden, 1986) p. 283
  11. M.A. Paalanen, S. Sachdev, R.N. Bhatt. Proc. 16 Int. Conf. Phys. Semicond. (Stockholm, Sweden, 1986) p. 1249
  12. J.D. Quirt, J.R. Marko. Phys. Rev. B, 7, 3842 (1973)
  13. K. Morigaki, T. Mitsushita. J. Phys. Soc. Japan, 20, 62 (1965)
  14. K. Morigaki, M. Onda. J. Phys. Soc. Japan, 33, 103 (1972)
  15. D.P. Tungstall, P.J. Mason, A.N. Ionov, R. Rentzsch, B. Sandow. Phys. Condens. Matter., 9, 403 (1997)
  16. A.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 34, 46 (2000)
  17. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn., 14 (6), 729 (1979)
  18. А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
  19. R.F. Miligan, T.F. Rosenbaum, R.N. Bhatt, G.A. Thomas. Electron--Electron Interaction in Disordered System, ed. by A.L. Efros, M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, Oxford, Tokio, 1985) p. 231
  20. М.П. Тимофеев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1990)
  21. F.J. Dyson. Phys. Rev., 98, 349 (1955)
  22. G. Feher, A.F. Kip. Phys. Rev., 98, 337 (1955)
  23. C.P. Poole. Electron Spin Resonance (J. Wiley \& Sons, N. Y., London, Sydney, 1967; M., Мир, 1970)
  24. G.W. Ludwig, H.H. Woodbury. In: Solid States Physics, ed. by F. Seitz, F. Turnbull, v. 13 (Acad. Press Inc, N. Y., London 1962; М., Мир, 1964)
  25. K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer Verlag, Wien, N. Y., 1973; М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.