"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота
Воробьев А.А.1, Кораблев В.В.1, Карпов С.Ю.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Софт-Импакт, а / я 33, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, и определены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg и Ga в подрешетку III группы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования --- зависимость эффективности вхождения Mg от температуры и V / III-отношения в падающих потоках.
  1. O. Ambacher. J. Phys. D, 31, 2653 (1998)
  2. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 28, 2112 (1989).
  3. G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukhichev, S.I. Popov. Microelectronic Engineering 1, 179 (1983)
  4. С.К. Обыден, Г.А. Перловский, Г.В. Сапарин, А.Г. Николаев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 51, 452 (1987)
  5. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. J. Appl. Phys., 31, 139 (1992)
  6. N.M. Johnson, W. Gotz, J. Neugebauer, C.G. Van de Walle. Mater. Res. Symp. Proc., 395, 723 (1996)
  7. D.J. Dewsnip, J.W. Orton, D.E. Lacklison, L. Flannery, A.V. Andrianov, I. Harrison, S.E. Hooper, T.S. Cheng, C.T. Foxon, S.N. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. Semicond. Sci. Technol., 13, 927 (1998)
  8. J.W. Orton, C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.E. Hooper, S.V. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. J. Cryst. Growth, 197, 7, (1999)
  9. S. Guha, N.A. Bojarzuk, F. Cardone. Appl. Phys. Lett., 71, 1685 (1997)
  10. I.P. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J.P. Ibbetson, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 76, 718 (2000)
  11. M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, K.J. Ebeling. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 26 (1997)
  12. N. Sipe, R. Venkat. MRS J. Nitride Semicond. Res., 7, 1 (2002)
  13. B. Dadin, G. Mula, P. Peyla. Phys. Rev. B, 61, 10 330 (2000)
  14. V. Ramachandran, R.M. Feenstra, J.E. Northrup, D.W. Greve. MRS J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W3.65 (2000)
  15. S.Yu. Karpov, M.A. Maiorov. Surf. Sci., 393, 108 (1997)
  16. S.Yu. Karpov, R.A. Talalev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
  17. S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, M.S. Ramm. MRS. J. Nitride Semicond. Res., 2, 45 (1997)
  18. O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 54, 4432 (1996)
  19. S. Guha, N.A. Bojarczuk, D.W. Kisker. Appl. Phys. Lett., 69, 2879 (1996)
  20. V. Ramachandran, R.M. Feenstra, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J.E. Northrup, L.T. Romano, D.W. Greve. Appl. Phys. Lett., 75, 808 (1999)
  21. P. Vennegues, M. Benaissa, B. Beaumont, E. Feltin, P. De Mierry, S. Dalmasso, M. Leroux, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 77, 880 (2000)
  22. L.K. Li, M.J. Jukovic, W.I. Wang, J.M. Van Hove, P.P. Chow. Appl. Phys. Lett., 76, 1740 (2000)
  23. T.H. Myers, A.J. Ptak, L. Wang, N.C. Giles. Proc. Int. Workshop on Nitride Semicond., IPAP Conf. Ser. 1, 451 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.