Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, и определены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg и Ga в подрешетку III группы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования - зависимость эффективности вхождения Mg от температуры и V / III-отношения в падающих потоках.
- O. Ambacher. J. Phys. D, 31, 2653 (1998)
- H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 28, 2112 (1989).
- G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukhichev, S.I. Popov. Microelectronic Engineering 1, 179 (1983)
- С.К. Обыден, Г.А. Перловский, Г.В. Сапарин, А.Г. Николаев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 51, 452 (1987)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. J. Appl. Phys., 31, 139 (1992)
- N.M. Johnson, W. Gotz, J. Neugebauer, C.G. Van de Walle. Mater. Res. Symp. Proc., 395, 723 (1996)
- D.J. Dewsnip, J.W. Orton, D.E. Lacklison, L. Flannery, A.V. Andrianov, I. Harrison, S.E. Hooper, T.S. Cheng, C.T. Foxon, S.N. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. Semicond. Sci. Technol., 13, 927 (1998)
- J.W. Orton, C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.E. Hooper, S.V. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. J. Cryst. Growth, 197, 7, (1999)
- S. Guha, N.A. Bojarzuk, F. Cardone. Appl. Phys. Lett., 71, 1685 (1997)
- I.P. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J.P. Ibbetson, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 76, 718 (2000)
- M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, K.J. Ebeling. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 26 (1997)
- N. Sipe, R. Venkat. MRS J. Nitride Semicond. Res., 7, 1 (2002)
- B. Dadin, G. Mula, P. Peyla. Phys. Rev. B, 61, 10 330 (2000)
- V. Ramachandran, R.M. Feenstra, J.E. Northrup, D.W. Greve. MRS J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W3.65 (2000)
- S.Yu. Karpov, M.A. Maiorov. Surf. Sci., 393, 108 (1997)
- S.Yu. Karpov, R.A. Talalev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
- S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, M.S. Ramm. MRS. J. Nitride Semicond. Res., 2, 45 (1997)
- O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 54, 4432 (1996)
- S. Guha, N.A. Bojarczuk, D.W. Kisker. Appl. Phys. Lett., 69, 2879 (1996)
- V. Ramachandran, R.M. Feenstra, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J.E. Northrup, L.T. Romano, D.W. Greve. Appl. Phys. Lett., 75, 808 (1999)
- P. Vennegues, M. Benaissa, B. Beaumont, E. Feltin, P. De Mierry, S. Dalmasso, M. Leroux, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 77, 880 (2000)
- L.K. Li, M.J. Jukovic, W.I. Wang, J.M. Van Hove, P.P. Chow. Appl. Phys. Lett., 76, 1740 (2000)
- T.H. Myers, A.J. Ptak, L. Wang, N.C. Giles. Proc. Int. Workshop on Nitride Semicond., IPAP Conf. Ser. 1, 451 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
