Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 11 » Статья стр. 1040
<<<>>>
Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg0.7Cd0.3Te
DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51558.9689
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.13.53899.9689
Андрющенко Д.А.1, Ружевич М.С.1, Смирнов А.М. 1, Баженов Н.Л. 2, Мынбаев К.Д. 2, Ремесник В.Г. 3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: dimitriy296@mail.ru, mazaahaaka@gmail.com, andrei.smirnov@niutmo.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, remesnik@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 6 июня 2021 г.
Принята к печати: 6 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
PDF версия
Приводятся результаты сравнительных исследований оптических и структурных свойств объемных кристаллов и эпитаксиальных пленок Hg0.7Cd0.3Te, выращенных различными методами. Данные исследований фотолюминесценции образцов в диапазоне температур 4.2-300 K показали схожесть их оптических свойств и указывали на существенное разупорядочение твердого раствора. По данным рентгеновской дифракции, однако, масштаб разупорядочения не был напрямую связан со структурным качеством материала. Обсуждены перспективы использования материала, выращенного различными методами, в приложениях оптоэлектроники. Ключевые слова: HgCdTe, дефекты, люминесценция, рентгеновская дифракция.
  1. F.Y. Yue, S.Y. Ma, J. Hong, P.X. Yang, C.B. Jing, Y. Chen, J.H. Chu. Chin. Phys. B, 28, 017104 (2019)
  2. X.F. Qiu, S.X. Zhang, J. Zhang, Y.C. Zhu, C. Dou, S.C. Han, Y. Wu, P.P. Chen. Crystals, 11, 296 (2021)
  3. M. Kopytko, J. Sobieski, W. Gawron, A. Keb owski, J. Piotrowski. Semicond. Sci. Technol., 36, 055003 (2021)
  4. D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
  5. W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2, 041303 (2015)
  6. C.R. Tonheim, A.S. Sudb, E. Selvig, R. Haakenaasen. IEEE Photon. Technol. Lett., 23, 36 (2011)
  7. J.P. Zanatta, F. Noel, P. Ballet, N. Hdadach, A. Million, G. Destefanis, E. Mottin, C. Kopp, E. Picard, E. Hadji. J. Electron. Mater., 32, 602 (2003)
  8. E. Hadji, E. Picard, C. Roux, E. Molva, P. Ferret. Optics Lett., 25, 725 (2000)
  9. M. Reddy, X. Jin, D.D. Lofgreen, J.A. Franklin, J.M. Peterson, T. Vang, N. Juanko, F. Torres, K. Doyle, A. Hampp, S.M. Johnson, J.W. Bangs. J. Electron. Mater., 48, 6040 (2019)
  10. V.Ya. Aleshkin, V.V. Rumyantsev, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, G. Alymov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys., 129, 133106 (2021)
  11. А.В. Шиляев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Грешнов. ЖТФ, 87, 419 (2017)
  12. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  13. K.E. Mironov, V.K. Ogorodnikov, V.D. Rozumnyi, V.I. Ivanov-Omskii. Phys. Status Solidi A, 78, 125 (1983)
  14. И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, J. Piotrowski, К.Д. Мынбаев. Изв. вузов. Физика, N 9/2, 89 (2013)
  15. C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10353 (2000)
  16. R. Legros, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 72, 264 (1985)
  17. P. Gille, K.H. Herrmann, N. Puhlmann, M. Schenk, J.W. Tomm, L. Werner. J. Cryst. Growth, 86, 593 (1988)
  18. A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 101, 673 (1990)
  19. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
  20. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.V. Shilyaev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, O.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovsky. Opto-Electron. Rev., 21, 390 (2013)
  21. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.М. Смирнов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. ФТП, 54, 1302 (2020)
  22. D.A. Andryushchenko, I.N. Trapeznikova, N.L. Bazhenov, M.A. Yagovkina, K.D. Mynbaev, V.G. Remesnik, V.S. Varavin. J. Phys. Conf. Ser., 1400, 066038 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme