Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO2 разной толщины
Умирзаков Б.Е.
1,2, Донаев С.Б.
1, Ёркулов Р.М.2, Ашуров Р.Х.2, Ротштейн В.М.2
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан 
2Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: be.umirzakov@gmail.com, sardor.donaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2021 г.
Принята к печати: 6 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
Изучены состав, морфология, электронная структура нанопленки SiO2 разной толщины, созданной термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30-40 Angstrem пленка имеет островковый характер. При d≥60 Angstrem формируется однородная сплошная пленка SiO2, стехиометрическая шероховатость поверхности которой не превышает 1.5-2 нм. Независимо от толщины пленок SiO2 заметная взаимодиффузия атомов на границе SiO2-Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степень покрытия поверхности, энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO2/Si(111) в пределах от 20 до 120 Angstrem. Ключевые слова: термическое окисление, нанофазы, нанопленки, плазменное колебание, шероховатость поверхности, оже-пики, рамановские спектры, оптически-фононная мода, островковый рост.
- K. Hoppe, W.R. Fahrner, D. Fink, S. Dhamodoran, A. Petrov, A. Chandra, A. Saad, F. Faupel, V.S.K. Chakravadhanula, V. Zaporotchenko. Nucl. Instr. Meth. B, 266, 1642 (2008)
- Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, С.В. Булярский, А.Н. Белов, А.А. Раскин. ФТТ, 55 (3), 562 (2013)
- Y. Kanemitsu, T. Kushida. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3550 (2000)
- Z.A. Isakhanov, Z.E. Mukhtarov, B.E. Umirzakov, M.K. Ruzibaeva. Techn. Phys., 56 (4), 546 (2011)
- B.E.Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, E.U. Boltaev, A.A. Dzhurakhalov. Mater. Sci. Engin. B: Solid-State Mater. Adv. Technol., 101 (1-3), 124 (2003)
- B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, D.M. Muradkabilov, K.K. Boltaev. Techn. Physics, 58 (6), 841 (2013)
- B.E. Umirzakov, S.B. Donaev. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (4), 746 (2017)
- A.S. Rysbaev, Z.B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov, I.R. Bekpulatov. Techn. Phys., 59 (10), 1526 (2014)
- A.S. Risbaev, J.B. Khujaniyazov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (5), 994 (2017
- A.S. Rysbaev, Z.B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov, A.M. Rakhimov, I.R. Bekpulatov. Techn. Phys., 59 (11), 1705 (2014)
- S.B. Donaev, A.K. Tashatov, B.E. Umirzakov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 9 (2), 406 (2015)
- Ю.К. Ундалов. ФТП, 49 (7), 887 (2015)
- M. Hamasaki, T. Adachi, S. Wakayama, M. Kikuchi. J. Appl. Phys., 47 (7), 3987 (1978)
- О.Б. Гусев, А.Н. Поддубный, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 47 (2), 147 (2013)
- S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62 (24), 16820 (2000)
- Y.S. Ergashov. Techn. Phys., 62 (5), 777 (2017)
- R.K. Ashurov, T.K. Turdaliev, I.K. Ashurov. Appl. Sol. Energy, 53, 334 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
