"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120301
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), A, 19-02-00800
Российский научный фонд (РНФ), 18-72-10058
Министерство науки и высшего образования РФ, Программа фундаментальных исследований ИФП СО РАН им. А. В. Ржанова, 0306-2019-0019
Похабов Д.А. 1,2, Погосов А.Г. 1,2, Жданов Е.Ю. 1,2, Бакаров А.К. 1,2, Шкляев А.А. 1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: pokhabov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 26 августа 2020 г.
Принята к печати: 26 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Экспериментально изучен кондактанс подвешенного квантового точечного контакта, изготовленного на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом, снабженного боковыми затворами, отделенными от микросужения с помощью литографических траншей. Затворные зависимости кондактанса таких структур соответствуют необычному двухканальному режиму с независимым квантованием кондактанса каналов: кондактансом отдельных каналов можно независимо управлять с помощью двух боковых затворов. Рассмотрен электростатический механизм образования двухканальной структуры внутри одиночного сужения, связанный с латеральным перераспределением низкоподвижных X-долинных электронов, содержащихся в сверхрешеточных слоях гетероструктуры, приводящий к образованию в средине квантового точечного контакта потенциального барьера, разделяющего электроны проводимости на два канала, симметрично разнесенные к литографическим траншеям, задающим геометрию наноструктуры. Ключевые слова: квантовый точечный контакт, подвешенные полупроводниковые наноструктуры, мультиканальный транспорт, квантование кондактанса.
  1. B.J. van Wees, H. van Houten, C.W.J. Beenakker, J.G. Williamson, L.P. Kouwenhoven, D. van der Marel, C.T. Foxon. Phys. Rev. Lett., 60, 848 (1988)
  2. D.A. Wharam, T.J. Thornton, R. Newbury, M. Pepper, H. Ahmed, J.E.F. Frost, D.G. Hasko, D.C. Peacock, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. J. Phys. C: Solid State Phys., 21, L209 (1988)
  3. P. Debray, S.M.S. Rahman, J. Wan, R.S. Newrock, M. Cahay, A.T. Ngo, S.E. Ulloa, S.T. Herbert, M. Muhammad, M. Johnson. Nature Nanotechnology, 4, 759 (2009)
  4. D.A. Pokhabov, A.G. Pogosov, E.Yu. Zhdanov, A.A. Shevyrin, A.K. Bakarov, A.A. Shklyaev. Appl. Phys. Lett., 112, 082102 (2018)
  5. T. Masuda, K. Sekine, K. Nagase, K.S. Wickramasinghe, T.D. Mishima, M.B. Santos, Y. Hirayama. Appl. Phys. Lett., 112, 192103 (2018)
  6. D.A. Pokhabov, A.G. Pogosov, E.Yu. Zhdanov, A.K. Bakarov, A.A. Shklyaev. Appl. Phys. Lett., 115, 152101 (2019)
  7. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, Р.А. Лавров, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Ж.К. Портал. Письма ЖЭТФ, 83, 152 (2006)
  8. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.А. Шевырин, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов. Письма ЖЭТФ, 87, 176 (2008)
  9. Е.Ю. Жданов, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, Д.А. Похабов, А.К. Бакаров. ФТП, 51, 12 (2017)
  10. D.A. Pokhabov, A.G. Pogosov, A.A. Shevyrin, E.Yu. Zhdanov, A.K. Bakarov, A.A. Shklyaev, S.V. Ishutkin, M.V. Stepanenko, E.V. Shesterikov. J. Phys.: Conf. Ser., 964, 012008 (2018)
  11. Y. Gindikin, V.A. Sablikov. Phys. Rev. B, 98, 115137 (2018)
  12. Y. Gindikin, V.A. Sablikov. Physica E, 108, 187 (2019)
  13. Y. Gindikin, V.A. Sablikov. Eur. Phys. J. Spec. Top., 229, 503 (2020)
  14. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, E.Yu. Zhdanov, D.A. Pokhabov, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Appl. Phys. Lett., 100, 181902 (2012)
  15. E.Yu. Zhdanov, A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, D.A. Pokhabov. AIP Conf. Proc., 1566, 211 (2013)
  16. K.J. Thomas, J.T. Nicholls, M.Y. Simmons, W.R. Tribe, A.G. Davies, M. Pepper. Phys. Rev. B, 59, 12252 (1999)
  17. I.M. Castleton, A.G. Davies, A.R. Hamilton, J.E.F. Frost, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie, M. Pepper. Physica B, 249--251, 157 (1998)
  18. L.W. Smith, W.K. Hew, K.J. Thomas, M. Pepper, I. Farrer, D. Anderson, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie. Phys. Rev. B, 80, 041306 (2009)
  19. W.K. Hew, K.J. Thomas, M. Pepper, I. Farrer, D. Anderson, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie. Physica E, 42, 1118 (2010)
  20. L.W. Smith, W.K. Hew, K.J. Thomas, M. Pepper, I. Farrer, D. Anderson, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie. Physica E, 42, 1114 (2010)
  21. S. Kumar, K.J. Thomas, L.W. Smith, M. Pepper, G.L. Creeth, I. Farrer, D. Ritchie, G. Jones, J. Griffiths. Phys. Rev. B, 90, 201304(R) (2014)
  22. А.В. Чаплик. Письма ЖЭТФ, 31, 275 (1980)
  23. J.S. Meyer, K.A. Matveev. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 023203 (2009)
  24. S.-C. Ho, H.-J. Chang, C.-H. Chang, S.-T. Lo, G. Creeth, S. Kumar, I. Farrer, D. Ritchie, J. Griffiths, G. Jones, M. Pepper, T.-M. Chen. Phys. Rev. Lett., 121, 106801 (2018)
  25. C. Yan, S. Kumar, K. Thomas, P. See, I. Farrer, D. Ritchie, J. Griffiths, G. Jones, M. Pepper. J. Phys.: Condens. Matter, 30, 08LT01 (2018)
  26. K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, R. Klann, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 77, 4616 (1996)
  27. N. Bhandari, P.P. Das, M. Cahay, R.S. Newrock, S. T. Herbert. Appl. Phys. Lett., 101, 102401 (2012)
  28. P.P. Das, N.K. Bhandari, J. Wan, J. Charles, M. Cahay, K.B. Chetry, R.S. Newrock, S.T. Herbert. Nanotechnology, 23, 215201 (2012)
  29. C. Rossler, M. Herz, M. Bichler, S. Ludwig. Solid State Commun., 150, 861 (2010)
  30. A.A. Shevyrin, A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, S.V. Ishutkin, E.V. Shesterikov. Appl. Phys. Lett., 104, 203102 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.