Вышедшие номера
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120428
Российский научный фонд, 19-19-00545
Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А. 1, Звонков Б.Н.1, Калентьева И.Л. 1, Нежданов А.В. 2, Парафин А.Е.3, Хомицкий Д.В. 2, Антонов И.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru, yury.danilov@gmail.com, istery@rambler.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, khomitsky@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 августа 2020 г.
Принята к печати: 17 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs (x варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360 мДж/см2. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к "красному" сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения. Ключевые слова: арсенид галлия, МОС-гидридная эпитаксия, гетеронаноструктура, импульсный лазерный отжиг.