"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S_3)x(AgIn5S_8)1-x
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120039
Боднарь И.В.1, Фещенко А.А.1, Хорошко В.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 15 августа 2020 г.
Принята к печати: 15 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In2S3, AgIn5S8 и твердых растворов (In2S_3)x(AgIn5S_8)1-x, определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной (Eg) для указанных монокристаллов. Показано, что Eg с составом х изменяется с отклонением от линейности. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, твердые растворы, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
  1. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Cкуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  2. K. Ramanatham, M.A. Contreras, C.L. Parkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, G. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 11, 225 (2003)
  3. F. Kessler, D. Gerrman, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480--481, 491 (2005)
  4. И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37, 1346 (2003)
  5. И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 1043 (1998)
  6. B. Asenjo, A.M. Charro, M.T. Gutierrez, J. Gererro, C. Maffiotte. Thin Sol. Films, 480--481, 151 (2005)
  7. T. Schulmeyer, A. Klein, R Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85, 961 (2005)
  8. J. Sterner, J. Malstrom, L. Stolt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 179 (2005)
  9. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  10. С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, Изд-во ВГУ, 1989)
  11. Р. Уиллардсон. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
  12. В.А. Полубок. Докл. БГУИР, 6, 58 (2008)
  13. C. Paoricci, L Zanotti, N. Romeo, G Sberveglieri, L. Tarricone. Mater. Res. Bull., 12, 1207 (1977)
  14. M. Isik, N. Gasanly. Physica B, 478, 127 (2015)
  15. A. Usujima, S. Takeuchi, S. Endo, T. Irie. Jpn. J. Apll. Phys., 20, L.505 (1981)
  16. J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
  17. R. Hill. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7, 521 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.